| 講演名 | 2005/10/6 Ni/i-AlGaN/GaNゲート構造の電気的特性評価と熱処理の影響(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ)) 澤田 孝幸, 米田 里志, 高橋 健輔, 金 聖祐, 鈴木 敏正, |
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| 抄録(和) | Ni/i-AlGaN/GaN HFETゲート構造の電気的特性について、表面酸化膜と熱処理の影響を調べた。酸化膜の存在は、実効的ショットキー障壁高さ(SBH)を0.1-0.2eV低下させ、逆方向リーク電流を増大させる。一方、窒素中における熱処理は、SBHの増大とリーク電流の減少に極めて有効である。最適熱処理温度は、Al組成比および酸化膜の有無に依存する。薄い陽極酸化Al_2O_3膜をi-AlGaN上に形成した試料では、リーク電流が10^<-6>A/cm^2まで大幅に減少した。i-AlGaN(x=0.20)/GaNベア試料のHall効果測定から、ウェット酸素中では600℃の熱処理温度でも、2DEGの移動度が大幅に減少することを示した。 |
| 抄録(英) | Electrical properties of Ni/i-AlGaN/GaN Schottky gate structures were investigated. Existence of surface native oxide degraded the effective Schottky barrier height (SBH) by 0.1-0.2 eV, accompanied with significant increase of the reverse leakage current. Annealing in N_2 improved the effective SBH and the leakage current. The optimum temperature depended on both the surface preparation condition and the Al composition. Addition of a thin anodic Al_2O_3 layer onto i-AlGaN effectively reduced the leakage current down to 10^<-6>A/cm^2. Hall effect measurements of bare i-AlGaN(x=0.20)/GaN samples revealed that the annealing in wet-O_2 even at 600℃ led to degradation of the electron mobility in 2DEG. |
| キーワード(和) | AlGaN/GaNヘテロ構造 / ショットキー / 熱処理 / 電気的特性 |
| キーワード(英) | GaN / AlGaN/GaN Heterostructure / Schottky / Thermal Annealing / Electrical Properties |
| 資料番号 | ED2005-135,CPM2005-122,LQE005-62 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2005/10/6(から1日開催) |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Ni/i-AlGaN/GaNゲート構造の電気的特性評価と熱処理の影響(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electrical Properties of Ni/i-AlGaN/GaN Gate Structures and Influence of Thermal Annealing |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN/GaNヘテロ構造 / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | ショットキー / AlGaN/GaN Heterostructure |
| キーワード(3)（和/英） | 熱処理 / Schottky |
| キーワード(4)（和/英） | 電気的特性 / Thermal Annealing |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 澤田 孝幸 / Takayuki SAWADA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北海道工業大学 Hokkaido Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 米田 里志 / Satoshi YONETA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北海道工業大学 Hokkaido Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 高橋 健輔 / Kensuke TAKAHASHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北海道工業大学 Hokkaido Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 金 聖祐 / Seong Woo KIM |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日本工業大学 Nippon Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 鈴木 敏正 / Toshimasa SUZUKI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日本工業大学 Nippon Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2005/10/6 |
| 資料番号 | ED2005-135,CPM2005-122,LQE005-62 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 329 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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