| 講演名 | 2005/10/6 短ゲートAlGaN/GaN HEMTのDC、RF特性と基板結晶性との相関(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ)) 塩島 謙次, 牧村 隆司, 末光 哲也, 重川 直輝, 廣木 正伸, 横山 春喜, |
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| 抄録(和) | サファイアおよびSiC基板上に短ゲートAlGaN/GaN HEMTを作製し、DC、及びRF特性を評価した。表面モフォロジー、移動度、接触抵抗に両者で違いがみられ、接触抵抗が相互コンダクタンスを制限していることが分かった。しかし、ソース抵抗の影響を差し引いた真性相互コンダクタンスはほぼ同じであり、遮断周波数のゲート長依存性も同一線上に乗ることが分かった。これらの結果はサファイアおよびSiC基板上HEMTの電子速度に差が無いことを示唆するものである。 |
| 抄録(英) | The DC and RF performances of short-gate AlGaN/GaN high-electron transistors (HEMT) on SiC and sapphire substrates have been investigated. There were differences in surface morphology, electron mobility, and contact resistance between SiC and sapphier wafers. The contact resistance limited and dispersed measured transconductance (g_m). The intrinsic g_m after subtraction of the source resistance contribution and gate-length dependences of cut-off frequency were the same. These results indicates that the effective electron velocity is the same for both samples. |
| キーワード(和) | 短ゲート / 表面モフォロジー / DC RF特性 |
| キーワード(英) | AlGaN/GaN HEMT / short gate / surface morphology / DC RF characteristics |
| 資料番号 | ED2005-127,CPM2005-114,LQE005-54 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2005/10/6(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | 短ゲートAlGaN/GaN HEMTのDC、RF特性と基板結晶性との相関(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effect of epitaxial layer crystal quality on DC and RF characteristics of AlGaN/GaN short-gate HEMTs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 短ゲート / AlGaN/GaN HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | 表面モフォロジー / short gate |
| キーワード(3)（和/英） | DC RF特性 / surface morphology |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 塩島 謙次 / Kenji SHIOJIMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Corporation NTT Photonics Laboratories |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 牧村 隆司 / Takashi MAKIMURA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Corporation NTT Photonics Laboratories |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 末光 哲也 / Tetsuya SUEMITSU |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Corporation NTT Photonics Laboratories |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 重川 直輝 / Naoteru SHIGEKAWA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Corporation NTT Photonics Laboratories |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 廣木 正伸 / Masanobu HIROKI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Corporation NTT Photonics Laboratories |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 横山 春喜 / Haruki YOKOYAMA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Corporation NTT Photonics Laboratories |
| 発表年月日 | 2005/10/6 |
| 資料番号 | ED2005-127,CPM2005-114,LQE005-54 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 329 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |