| 講演名 | 2002/7/18 ベース電圧自己補償形バイアス回路内蔵 SiGe HBT ドライバ増幅器の温度依存性 新庄 真太郎, 森 一富, 上馬 弘敬, 末松 憲治, |
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| 抄録(和) | ベース電圧自己補償形定電圧バイアス回路を内蔵した SiGe HBT ドライバ増幅器の温度依存性を検討した。本バイアス回路は、カレントミラー形定電圧バイアス回路に p-MOSFET カレントミラー回路を付加した構成であるため、ドライバ増幅器のもつ温度特性を補償することができる。ベース電流が増加する高出力電力時にはベース電圧は温度に依存せず増加傾向を示すため、常に低アイドル電流動作と低ひずみな増幅器を実現する。シミュレーションの結果、カレントミラー形定電圧バイアス回路を用いた増幅器と比較し、-20から85度の温度範囲においてP1dBが2.3dB以上改善された。試作により、シミュレーション結果と同様に低アイドル電流動作時に高いP1dBを得ることができ、本バイアス回路が良好な温度特性を持つことが示された。 |
| 抄録(英) | The temperature dependence characteristic of the self base bias controlled SiGe HBT driver amplifier is described. The base voltage of the SiGe HBT driver amplifier is automatically controlled by the self base bias control circuit according to the output power level, and the SiGe HBT driver amplifier is allowed to be low distortion at high output power level. And the self base bias control circuit can compensate for temperature dependence as similarly as a constant base voltage circuit can. The simulated results show that the self base bias controlled SiGe HBT driver amplifier achieves 1dB power compression point (P1dB) improvement of more than 2.3dB compared with the driver amplifier having the constant base voltage circuit over the temperature range of -20 to 85 Celsius. The measured results agree with the simulated results, and show high P1dB with low quiescent current. |
| キーワード(和) | マイクロ波 / ドライバ増幅器 / SiGe / 自己バイアス制御回路 |
| キーワード(英) | Microwave / Driver Amplifier / SiGe / Self Bias Control Circuit |
| 資料番号 | SAT2002-36 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SAT |
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| 開催期間 | 2002/7/18(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Satellite Telecommunications (SAT) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ベース電圧自己補償形バイアス回路内蔵 SiGe HBT ドライバ増幅器の温度依存性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Temperature Dependence Characteristic of the Self Base Bias Controlled SiGe HBT Driver Amplifier |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | マイクロ波 / Microwave |
| キーワード(2)（和/英） | ドライバ増幅器 / Driver Amplifier |
| キーワード(3)（和/英） | SiGe / SiGe |
| キーワード(4)（和/英） | 自己バイアス制御回路 / Self Bias Control Circuit |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 新庄 真太郎 / Shintaro Shinjo |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 森 一富 / Kazutomi Mori |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 上馬 弘敬 / Hiroyuki Joba |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 末松 憲治 / Noriharu Suematsu |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 Mitsubishi Electric Corporation |
| 発表年月日 | 2002/7/18 |
| 資料番号 | SAT2002-36 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 241 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |