講演名 | 2005-10-21 電流基板制御方式による基板ノイズ低減及びランダムばらつき抑制効果(プロセッサ, DSP, 画像処理技術及び一般) 小松 義英, 石橋 孝一郎, 塚田 敏郎, 山本 雅晴, 島崎 健二, 深澤 光弥, 永田 真, |
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抄録(和) | セルフアジャスト順方向基板制御方式(SA-FBB)を用いた際の基板ノイズ低減効果、及びランダムばらつき低減効果について報告する。効果を測定、確認するために2つのテストチップを用意した。1つ目のチップには様々な周波数のノイズ源とそのノイズを検出するためのオンチップオシロスコープが搭載していて、基板制御時のノイズ低減効果が測定できる。130nmCMOS、3-wellプロセスを用いた。2つ目のチップには10M個のトランジスタを搭載し、基板制御を行った際のランダムばらつきの傾向の測定ができる。SA-FBBを用いると基板ノイズ(Wellノイズ)は最大70.2%低減効果があり、ランダムばらつきσ(Ids)は最大57.9%程度低減効果がある。 |
抄録(英) | We propose a method of reducing substrate noise and random fluctuations utilizing a self-adjusted forward body bias (SA-FBB) circuit. To achieve this, we designed a test chip that contained an on-chip oscilloscope for detecting dynamic noise from various frequency noise sources, and another test chip that contained 10-M transistors for measuring random fluctuation tendencies. Under SA-FBB conditions, it reduced noise by 69.8% and reduced random fluctuations σ(I_ |
キーワード(和) | 基板制御 / 順方向 / 基板ノイズ / ランダムばらつき |
キーワード(英) | Body bias control / Forward / Substrate noise / Random fluctuation |
資料番号 | SIP2005-116,ICD2005-135,IE2005-80 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | ICD |
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開催期間 | 2005/10/14(から1日開催) |
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幹事氏名(和) | |
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幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 電流基板制御方式による基板ノイズ低減及びランダムばらつき抑制効果(プロセッサ, DSP, 画像処理技術及び一般) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Substrate-Noise and Random-Fluctuations Reduction with Self-Adjusted Forward Body Bias |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 基板制御 / Body bias control |
キーワード(2)(和/英) | 順方向 / Forward |
キーワード(3)(和/英) | 基板ノイズ / Substrate noise |
キーワード(4)(和/英) | ランダムばらつき / Random fluctuation |
第 1 著者 氏名(和/英) | 小松 義英 / Yoshihide Komatsu |
第 1 著者 所属(和/英) | (株)半導体理工学研究センター(STARC)設計技術開発部低電力技術開発室 Semiconductor Technology Academic Research Center (STARC) |
第 2 著者 氏名(和/英) | 石橋 孝一郎 / Koichiro Ishibashi |
第 2 著者 所属(和/英) | (株)半導体理工学研究センター(STARC)設計技術開発部低電力技術開発室 Semiconductor Technology Academic Research Center (STARC) |
第 3 著者 氏名(和/英) | 塚田 敏郎 / Toshiro Tsukada |
第 3 著者 所属(和/英) | (株)半導体理工学研究センター(STARC)設計技術開発部低電力技術開発室 Semiconductor Technology Academic Research Center (STARC) |
第 4 著者 氏名(和/英) | 山本 雅晴 / Masaharu Yamamoto |
第 4 著者 所属(和/英) | (株)半導体理工学研究センター(STARC)設計技術開発部低電力技術開発室 Semiconductor Technology Academic Research Center (STARC) |
第 5 著者 氏名(和/英) | 島崎 健二 / Kenji Shimazaki |
第 5 著者 所属(和/英) | 神戸大学工学部情報知能工学科 Kobe University |
第 6 著者 氏名(和/英) | 深澤 光弥 / Mitsuya Fukazawa |
第 6 著者 所属(和/英) | 神戸大学工学部情報知能工学科 Kobe University |
第 7 著者 氏名(和/英) | 永田 真 / Makoto Nagata |
第 7 著者 所属(和/英) | 神戸大学工学部情報知能工学科 Kobe University |
発表年月日 | 2005-10-21 |
資料番号 | SIP2005-116,ICD2005-135,IE2005-80 |
巻番号(vol) | vol.105 |
号番号(no) | 352 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |