| 講演名 | 2002/6/26 Status and Future of Emerging Nonvolatile Memories , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | As emerging nonvolatile memories, the outstanding issues and challenges of FeRAM, MRAM, and PCM are discussed. FeRAM integration technology has improved to limited production level, however, the cell size and chip size scaling has been limited due to reliability concern. The new architectural approaches are introduced to achieve cell size and chip size scaling without ferroelectric capacitor degradation, which may make FeRAM very close to market. MRAM and PCM operate with same manner, however, PCM is supposed to have wider sensing and process margin than MRAM. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | FeRAM / FRAM / MRAM / PCM / reliability / scaling |
| 資料番号 | SDM2002-134 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2002/6/26(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Status and Future of Emerging Nonvolatile Memories |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / FeRAM |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Young-Jin Park |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Memory Research and Development Division, Hynix Semiconductor Inc. |
| 発表年月日 | 2002/6/26 |
| 資料番号 | SDM2002-134 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 180 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |