| 講演名 | 2002/6/26 Test of MTJ based MRAM Core Cell for A Universal Memory Application , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory) is a promising candidate for a universal memory with non-volatile, fast operational speed, and low power consumption. The simplest architecture of MRAM cell is a combination of MTJ (Magnetic Tunnel Junction) as a data storage part and MOS transistor as a data selection part. This presentation will discuss the actual parametric characterization to adopt MRAM technology in the semiconductor based memory device. The topic will cover basic design concept of MRAM core cell and its properties such as electrical tuning of MOS/MTJ for data sensing, control of magnetic switching for data writing and shrinkage effect those are major issues in the MRAM technology. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | MRAM(Magneto-resistive Random Access Memory) / GMR(Giant Magnetoresistance) / MTJ(Magnetic Tunnel Junction) |
| 資料番号 | SDM2002-133 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2002/6/26(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Test of MTJ based MRAM Core Cell for A Universal Memory Application |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / MRAM(Magneto-resistive Random Access Memory) |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Wanjun PARK |
| 第 1 著者 所属（和/英） | SAMSUNG Advanced Institute of Technology, MD Lab |
| 発表年月日 | 2002/6/26 |
| 資料番号 | SDM2002-133 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 180 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |