| 講演名 | 2002/6/26 ゲルマニウム核シリコン量子ドットの自己組織化形成 Yudi DARMA, 高岡 竜太, 村上 秀樹, 宮崎 誠一, |
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| 抄録(和) | SiH_4ガスを用いたLPCVDと5%He希釈GeH_4を用いたLPCVDにおいて、反応初期過程を交互に精密制御することによって、ゲルマニウム内核がSiで覆われたナノメートル寸法の球状結晶ドットを極薄SiO_2膜上に形成した。形成したドットの断面TEM像では、ドット中にGe内核が存在を示唆するコントラストが観測できた。この特徴的なコントラストは、純粋なSiドットの断面TEM像には見られない。ドット形成の各ステップでAFM観察およびXPS測定した結果、あらかじめ成長させSiドット上にGeが選択成長し、さらにその上にSiが選択成長して、Ge内核がSi層で被服されたドットが形成することが分かった。形成したドットのRaman散乱分光スペクトルには、Si-SiおよびGe-Ge結合に起因するシャープなTOフォノンピークと共にSi/Ge結合に起因するTOフォノンピークも観測され、ドット成長時にSi/Ge界面でミキシング反応が生じたことが示唆された。800℃熱処理によってSi-GeTOフォノンピークが著しく増大することから、Ge内核がほぼ完全にミキシングしてSiGe混晶ドットとなることが分かった。 |
| 抄録(英) | Silicon nanocrystallites with germanium core on ultrathin SiO_2 layer have been prepared by controlling the early stages of low-pressure chemical vapor deposition (LPCVD) alternately using monosilane and germane. Cross-sectional TEM images confirm the formation of isolated spherical nanocrystallites. Also, AFM observations and XPS measurements have shown the selective growth of Ge on the pregrown Si dots and subsequent complete coverage with a Si cap layer. For multiply-stacked dots with the Ge core, fairly narrow Raman-scattering peaks due to the optical phonon modes of Si-Si and Ge-Ge bonds are clearly observed accompanied with signals originating from Si-Ge bonds, suggesting that compositional mixing occurs in part at the Si/Ge-core interface during LPCVD. 800℃ annealing promotes the compositional mixing and results in the formation of SiGe alloy dots embedded in SiO_2. |
| キーワード(和) | 自己組織化形成 / シリコン量子ドット / ゲルマニウム核 / LPCVD |
| キーワード(英) | Self-Assembling / Silicon Quantum dot / Germanium core / LPCVD |
| 資料番号 | SDM2002-130 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2002/6/26(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | ゲルマニウム核シリコン量子ドットの自己組織化形成 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Self-Assembling Formation of Silicon Quantum Dot with Germanium Core by LPCVD |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 自己組織化形成 / Self-Assembling |
| キーワード(2)（和/英） | シリコン量子ドット / Silicon Quantum dot |
| キーワード(3)（和/英） | ゲルマニウム核 / Germanium core |
| キーワード(4)（和/英） | LPCVD / LPCVD |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | Yudi DARMA / Yudi DARMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 広島大学大学院先端物質科学研究 Graduate School of Advanced Science and Matter, Hiroshima University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 高岡 竜太 / Ryuta TAKAOKA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 広島大学大学院先端物質科学研究 Graduate School of Advanced Science and Matter, Hiroshima University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 村上 秀樹 / Hideki MURAKAMI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 広島大学大学院先端物質科学研究 Graduate School of Advanced Science and Matter, Hiroshima University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 宮崎 誠一 / Seichi MIYAZAKI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 広島大学大学院先端物質科学研究 Graduate School of Advanced Science and Matter, Hiroshima University |
| 発表年月日 | 2002/6/26 |
| 資料番号 | SDM2002-130 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 180 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |