| 講演名 | 2002/6/26 Structures and Properties of SiC Nanowires : A Molecular Dynamic Study , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | The study of condensed systems with nanometer dimensions is of scientific interest and these materials also have potential applications in electronics. Silicon Carbide (SiC) is a wide band gap semiconductor able to operate at high temperatures, high powers, high frequencies, and in harsh environment. The elasticity and strength of an individual SiC nanowire are considerably greater than those of bulk SiC. The outstanding mechanical properties of SiC nanowires make this material a promising candidate for the reinforcing phase in ceramic, metal and polymer matrix composites. In this paper, we have investigated that the structures and the properties of SiC nanowires using the molecular dynamic simulation method. This simulation is based on a well-tested tersoff potential for SiC. As a result of study, we have known that the structures of the SiC grown along [111] and [100] directions are more stable than the others. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Silicon Carbide / Nanowire / Tersoff potential / Molecular Dynamic Simulation |
| 資料番号 | SDM2002-129 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2002/6/26(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Structures and Properties of SiC Nanowires : A Molecular Dynamic Study |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Silicon Carbide |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Won-Ha Moon |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Department of Electrical and Electronic Engineering, Chung-Ang University |
| 発表年月日 | 2002/6/26 |
| 資料番号 | SDM2002-129 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 180 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |