| 講演名 | 2002/6/26 ナノ粒子ZnOを用いた色素増感太陽電池の作製と評価 李 禹鎮, 鈴木 篤, 岡田 浩, 若原 昭浩, 吉田 明, |
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| 抄録(和) | ナノ粒子ZnOを用いた色素増感太陽電池を焼結温度、薄膜、電極間距離などの条件を変えて製作した。Xeランプ(100mA/cm^2)の照射により太陽電池の電気特性を調べた。短絡電流(Isc)はZnO膜が厚くなるほど大きくなるが多くの有機色素がZnO膜に結合するためである。今回の実験では焼結温度400℃、薄膜40μm、電極間距離50μmの時に大きな変換効率(2.4%)が得られた。実験データの解析に熱電子放出モデルを適用し、暗時電流一電圧特性の検討を行った。障壁の高さと理想因子は、それぞれ0.52eVと2.1であった。 |
| 抄録(英) | Dye-sensitized nanoparticle-ZnO solar cells using Eosin-Y as organic dye were fabricated under various conditions, such as sintering temperature, film thickness and distance between electrodes. The detailed electrical characteristics of the solar cell structure have been investigated by irradiation of Xe lamp (100 mW/cm^2). The short circuit current (Isc) was increased with increasing the thickness of ZnO film, implying that a large amount of the organic dye was combined as the thickness of ZnO film was increased. In these experiments, larger conversion efficiency was obtained in the following conditions (sintering temperature of ZnO film; 400℃, film thickness; 40μm, distance between electrodes; 50μm). Now the conversion efficiency of solar cell is 2.4%. We tried to deduce some device parameters from the I-V characteristics in dark condition. The experimental data can be fitted using the thermionic emission model. The estimated barrier height and the ideal factor are 0.52eV and 2.1, respectively. |
| キーワード(和) | 色素増感太陽電池 / Eosin-Y / ナノ粒子ZnO |
| キーワード(英) | Dye-sensitized solar cell / Eosin-Y / ZnO |
| 資料番号 | SDM2002-127 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2002/6/26(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | ナノ粒子ZnOを用いた色素増感太陽電池の作製と評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication and Evaluation of Dye-sensitized Nanoparticle ZnO Solar Cell |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 色素増感太陽電池 / Dye-sensitized solar cell |
| キーワード(2)（和/英） | Eosin-Y / Eosin-Y |
| キーワード(3)（和/英） | ナノ粒子ZnO / ZnO |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 李 禹鎮 / Woo-Jin Lee |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学電気電子工学部 Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 鈴木 篤 / Atsushi Suzuki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学電気電子工学部 Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 岡田 浩 / Hiroshi Okada |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学電気電子工学部 Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 若原 昭浩 / Akihiro Wakahara |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学電気電子工学部 Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 吉田 明 / Akira Yoshida |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学電気電子工学部 Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology |
| 発表年月日 | 2002/6/26 |
| 資料番号 | SDM2002-127 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 180 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |