| 講演名 | 2002/6/26 Characteristics of Quantum wire structures grown by low pressure MOCVD , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | Noble quantum wire structures were grown by low pressure metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) by using selective area epitaxy. We have investigated the effects of various growth parameters such as growth rate, V/III ratio, growth temperature, and direction of the opening stripes in selective epitaxy. Various GaAs/AlGaAs multilayer and InGaAs/GaAs quantum wire structures with sharp tips and smooth sidewalls were grown on SiO_2 masked GaAs substrates. The MOCVD growth was carried out in a horizontal, lamp heated reactor at a low pressure of 76 torr. To analyze the growth behavior and optical properties, scanning electron microscopy and temperature dependent photoluminescence were used. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | MOCVD / Quantum Wire / SEM / PL |
| 資料番号 | SDM2002-124 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2002/6/26(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characteristics of Quantum wire structures grown by low pressure MOCVD |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / MOCVD |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Seong-Il Kim |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Semiconductor Device Laboratory, Korea Institute of Science and Technology |
| 発表年月日 | 2002/6/26 |
| 資料番号 | SDM2002-124 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 180 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |