講演名 | 2002/6/26 Nano-electronics Technology : Fabrication and characterization of various quantum dot devices , |
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抄録(和) | |
抄録(英) | Fabrication and characterization of various types of semiconductor quantum dot devices are discussed. Details about self-assembled Si quantum dot transistors, self-assembled InAs quantum dot transistors, quantum dot transistors using side-wall formation technique, quantum dot transistors fabricated from a thin layer of n+ GaAs are explained. |
キーワード(和) | |
キーワード(英) | Quantum dot device / self-assembled quantum dot / silicon / GaAs |
資料番号 | SDM2002-123 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | SDM |
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開催期間 | 2002/6/26(から1日開催) |
開催地(和) | |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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本文の言語 | ENG |
タイトル(和) | |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Nano-electronics Technology : Fabrication and characterization of various quantum dot devices |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | / Quantum dot device |
第 1 著者 氏名(和/英) | / S. W. HWANG |
第 1 著者 所属(和/英) | Dept. of Electronic & Computer Eng., Korea Univ. |
発表年月日 | 2002/6/26 |
資料番号 | SDM2002-123 |
巻番号(vol) | vol.102 |
号番号(no) | 180 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 4 |
発行日 |