講演名 2002/6/26
Nano-electronics Technology : Fabrication and characterization of various quantum dot devices
,
PDFダウンロードページ PDFダウンロードページへ
抄録(和)
抄録(英) Fabrication and characterization of various types of semiconductor quantum dot devices are discussed. Details about self-assembled Si quantum dot transistors, self-assembled InAs quantum dot transistors, quantum dot transistors using side-wall formation technique, quantum dot transistors fabricated from a thin layer of n+ GaAs are explained.
キーワード(和)
キーワード(英) Quantum dot device / self-assembled quantum dot / silicon / GaAs
資料番号 SDM2002-123
発行日

研究会情報
研究会 SDM
開催期間 2002/6/26(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Silicon Device and Materials (SDM)
本文の言語 ENG
タイトル(和)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Nano-electronics Technology : Fabrication and characterization of various quantum dot devices
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) / Quantum dot device
第 1 著者 氏名(和/英) / S. W. HWANG
第 1 著者 所属(和/英)
Dept. of Electronic & Computer Eng., Korea Univ.
発表年月日 2002/6/26
資料番号 SDM2002-123
巻番号(vol) vol.102
号番号(no) 180
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
発行日