| 講演名 | 2002/6/26 半導体ベース磁性ヘテロ構造エピタキシャル強磁性トンネル接合におけるトンネル磁気抵抗効果 田中 雅明, |
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| 抄録(和) | 将来のスピンエレクトロニクス・デバイスにとって最も重要な現象の1つが、磁性ヘテロ構造におけるトンネル磁気抵抗効果(TMR)である。本論文は、半導体デバイス技術と整合性の良い2つのエピタキシャルヘテロ構造;GaMnAs/AlAs/GaMnAsから成る強磁性/非磁性半導体トンネル接合、およびMnAs/AlAs/MnAsから成る強磁性金属/半導体トンネル接合を作製し、そのTMRを明瞭に観測した結果を述べる。 |
| 抄録(英) | Tunneling magneto resistance (TMR) in magnetic heterostructures is an very important issue for future spin-electronic devices. This paper presents TMR studies on two epitaxial magnetic tunnel junctions (MTJ); GaMnAs/AlAs/GaMnAs ferromagnetic/nonmagnetic semiconductor MTJs, and MnAs/AlAs/MnAs ferromagnetic-metal/semiconductor MTJs, which are both compatible with semiconductor device technology. |
| キーワード(和) | 磁性ヘテロ構造 / 強磁性トンネル接合 / トンネル磁気抵抗効果(TMR) / GaMnAs / MnAs |
| キーワード(英) | Magnetic Heterostructure / Magnetic Tunnel Junction / Tunneling Magnetoresistance / GaMnAs / MnAs |
| 資料番号 | SDM2002-122 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2002/6/26(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | 半導体ベース磁性ヘテロ構造エピタキシャル強磁性トンネル接合におけるトンネル磁気抵抗効果 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Semiconductor-Based Magnetic Heterostructures : Tunneling Magnetoresistance in Epitaxial Magnetic Tunnel Junctions |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 磁性ヘテロ構造 / Magnetic Heterostructure |
| キーワード(2)（和/英） | 強磁性トンネル接合 / Magnetic Tunnel Junction |
| キーワード(3)（和/英） | トンネル磁気抵抗効果(TMR) / Tunneling Magnetoresistance |
| キーワード(4)（和/英） | GaMnAs / GaMnAs |
| キーワード(5)（和/英） | MnAs / MnAs |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 田中 雅明 / Masaaki TANAKA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京大学工学系研究科電子工学専攻:科学技術振興事業団 Department of Electronic Engineering, The University of Tokyo:Japan Science & Technology Corporation |
| 発表年月日 | 2002/6/26 |
| 資料番号 | SDM2002-122 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 180 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |