| 講演名 | 2002/6/28 4価イオンドープ石英の分極処理による圧電性 城石 誠, 野毛 悟, 宇野 武彦, |
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| 抄録(和) | 本論文ではゲルマニウムをドープした石英薄膜において、分極処理により圧電性が発現し、その大きさも水晶を凌駕することを示す。ゲルマニウムドープ石英(以下、germanosilicateあるいはGe:SiO_2と略記)薄膜は高周波マグネトロンスパッタリングにより形成したものを用い、分極処理は350～360℃の温度において行った。分極処理を施すことにより、縦応力に対して明瞭な圧電応答が観測され、最も大きなものでは水晶のd_<11>の2倍程度の圧電定数(d_<33>)が得られた。germanosilicateは光導波路材料であるが、これに圧電性を付与することにより、新たなUHF帯の光・弾性波集積デバイスの可能性が考えられる。また、ゲルマニウム以外のチタン、スズをドープしたところ、同様の圧電現象が確認できた。 |
| 抄録(英) | This paper presents piezoelectricity in germanium-doped silica (germanosilicate) films produced by poling treatment. The germanosilicate films were prepared on Si substrates by RE magnetron sputtering. The films were poled by electric fields of 2～4×10^7 V/m at a temperature above 300℃. Before the poling, no piezoelectric response was observed. After the poling, a piezoelectric response caused by normal stress T_<33> on the film surface appeared. The maximum value of the piezoelectric constant d_<33> of the poled film was more than twice of d_<11> of quartz . Various applications of the piezoelectric Ge:SiO_2 film are expected to emerge. |
| キーワード(和) | ゲルマニウムドープ石英 / 石英ガラス / 圧電性 / 圧電薄膜 / 分極処理 |
| キーワード(英) | Ge-doped silica / silica / germanosilicate / piezoelectricity / piezoelectric thin film / poling |
| 資料番号 | CPM2002-43 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2002/6/28(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 4価イオンドープ石英の分極処理による圧電性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Piezoelectricity Produced by Poling in Tetravalent Metal Doped Silica Glass |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ゲルマニウムドープ石英 / Ge-doped silica |
| キーワード(2)（和/英） | 石英ガラス / silica |
| キーワード(3)（和/英） | 圧電性 / germanosilicate |
| キーワード(4)（和/英） | 圧電薄膜 / piezoelectricity |
| キーワード(5)（和/英） | 分極処理 / piezoelectric thin film |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 城石 誠 / Makoto SHIROISHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 神奈川工科大学電気電子工学科 Kanagawa Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 野毛 悟 / Satoru NOGE |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 神奈川工科大学電気電子工学科 Kanagawa Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 宇野 武彦 / Takehiko UNO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 神奈川工科大学電気電子工学科 Kanagawa Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2002/6/28 |
| 資料番号 | CPM2002-43 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 184 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |