講演名 | 2002/8/15 超高速光制御素子としてのGaN系サブバンド間光増幅器の可能性検討 鈴木 信夫, |
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抄録(和) | GaN系サブバンド間遷移の超高速応答(~Tb/s)と半導体光増幅器の低エネルギー動作の両方の利点を併せ持つ超高速全光制御素子として、GaN/AIN結合量子井戸構造に電流注入と光励起を併用したサブバンド間光増幅器を提案した。レート方程式による理論解析により、1Wのcw光励起で20dB程度の信号利得が得られることと、可飽和吸収型のサブバンド間遷移光スイッチより2桁低い10dBm以下の制御光で、消光比10dB以上の超高速光ゲート動作を実現できることが予測された。 |
抄録(英) | An intersubband optical amplifier with a GaN/A1N coupled quantum well structure powered both by current injection and by optical pumping has been proposed as an ultrafast all-optical switch which has the advantages of ultrafast response (~Tb/s) of the intersubband transition in GaN and low switching power of semiconductor optical amplifiers. A rate equation analysis predicted that a signal gain of about 20 dB is achievable at 1-W cw optical pumping, and that ultrafast optical gate operation with an extinction ratio of more than 10 dB will be realized with a control light power of less than 10 dBm, which is two orders of magnitude smaller than that in saturable absorber-type intersubband transition optical switches. |
キーワード(和) | OTDM / 光スイッチ / 光増幅器 / サブバンド間遷移 / GaN / レート方程式 |
キーワード(英) | OTDM / Optical Switches / Optical Amplifiers / Intersubband Transition / GaN / Rate Equation |
資料番号 | OFT2002-32 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | OFT |
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開催期間 | 2002/8/15(から1日開催) |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Optical Fiber Technology (OFT) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 超高速光制御素子としてのGaN系サブバンド間光増幅器の可能性検討 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Feasibility Study on GaN Intersubband Optical Amplifiers for Ultrafast All-Optical Switching Devices |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | OTDM / OTDM |
キーワード(2)(和/英) | 光スイッチ / Optical Switches |
キーワード(3)(和/英) | 光増幅器 / Optical Amplifiers |
キーワード(4)(和/英) | サブバンド間遷移 / Intersubband Transition |
キーワード(5)(和/英) | GaN / GaN |
キーワード(6)(和/英) | レート方程式 / Rate Equation |
第 1 著者 氏名(和/英) | 鈴木 信夫 / Nobuo SUZUKI |
第 1 著者 所属(和/英) | (株)東芝研究開発センター Corporate R&D Center, Toshiba Corp. |
発表年月日 | 2002/8/15 |
資料番号 | OFT2002-32 |
巻番号(vol) | vol.102 |
号番号(no) | 269 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |