| 講演名 | 2005-12-09 長波長帯多層化量子ドットレーザの低閾値電流密度発振(半導体レーザ関連技術, 及び一般) 清水 均, / 吉田 順自, 井部 紗代子, 横内 則之, |
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| 抄録(和) | 自己形成法による、長波長帯InAs量子ドットレーザの高利得化を目的とし、12層までの多層化を検討した。ミラー損失が7-8cm^<-1>以下の領域で基底準位発振し、室温で波長1.21μmにて7A/cm^2/層という、これまでの半導体レーザの報告値の中で、1層当たりの閾値電流密度が最も低い値が得られた。 |
| 抄録(英) | This paper describes the successful stacking of multilayered InAs quantum dots (QD) on a GaAs substrate up to 12 layers. The laser oscillated from the ground state under the condition of mirror loss at less than 7-8cm^<-1>. The extremely low threshold current density per QD-layer of 7 A/cm^2/layer was obtained with a lasing wavelength of 1.21μm at room temperature, which is the lowest value for any known semiconductor laser. |
| キーワード(和) | 量子ドット / レーザ / 分子線エピタキシー / 閾値電流密度 / 多層化 |
| キーワード(英) | Quantum dot / Lasers / InAs / Molecular-beam epitaxy / Threshold current density / Multilayered |
| 資料番号 | LQE2005-124 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2005/12/2(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 長波長帯多層化量子ドットレーザの低閾値電流密度発振(半導体レーザ関連技術, 及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Long-Wavelength Multilayered InAs Quantum Dot Lasers with Low Threshold Current Density |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 量子ドット / Quantum dot |
| キーワード(2)（和/英） | レーザ / Lasers |
| キーワード(3)（和/英） | 分子線エピタキシー / InAs |
| キーワード(4)（和/英） | 閾値電流密度 / Molecular-beam epitaxy |
| キーワード(5)（和/英） | 多層化 / Threshold current density |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 清水 均 / Hitoshi SHIMIZU |
| 第 1 著者 所属（和/英） | ATR波動工学研究所 ATR Wave Engineering Laboratories |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | / 吉田 順自 / Shanmugam SARAVANAN |
| 第 2 著者 所属（和/英） | ATR波動工学研究所 ATR Wave Engineering Laboratories |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 井部 紗代子 / Junji YOSHIDA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | ATR波動工学研究所 ATR Wave Engineering Laboratories |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 横内 則之 / Sayoko IBE |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 古河電気工業横浜研究所 Yokohama R&D Laboratories, Furukawa Electric Co., Ltd. |
| 発表年月日 | 2005-12-09 |
| 資料番号 | LQE2005-124 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 455 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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