| 講演名 | 2005-12-09 高密度高均一量子ドットを用いた量子ドットレーザ(半導体レーザ関連技術, 及び一般) 天野 建, 菅谷 武芳, 小森 和弘, |
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| 抄録(和) | 我々は高密度な量子ドットを用いた量子ドットレーザの研究を行っている。As_2分子線と組成傾斜歪み緩和層を用いることで, 量子ドット密度の1.0×10^<11>cm^<-2>を超える高密度化を実現した。また, 併せてPL半値幅22meVの均一化も実現した。さらに高密度化と高均一化が実現した量子ドットからPL測定により基底準位の発光強度増強も確認できた。この高密度かつ高均一な量子ドットを用いた半導体レーザを製作し, 高反射膜ミラー構造無しでもレーザ発振を実現した。また, 一層当たり8cm^<-1>を超える大きなモード利得を得たので報告する。この結果は量子ドットを高密度かつ高均一にしたためであり, 通信用量子ドットレーザの実用化に向けて大きな成果と考えている。 |
| 抄録(英) | We proposed quantum dot (QD) laser with high density QD by employing an As_2 source and a gradient composition strain reducing layer. We realized a 1.3-μm InAs QD with a high density and uniformity of 1.0×10^<11>cm^<-2> and 22 meV, respectively. Further, we demonstrated the 1.3-μm wavelength emission of this five-layered QD laser with a 0.5-mm cavity length and cleaved facet at room temperature. Moreover, we could achieve a high modal gain of 8cm^<-1> per QD layer at 1.3μm because of the high density and uniformity of the QDs. |
| キーワード(和) | 量子ドット / 半導体レーザ / 高密度量子ドット |
| キーワード(英) | Quantum dot / Laser / high density QD |
| 資料番号 | LQE2005-123 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2005/12/2(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高密度高均一量子ドットを用いた量子ドットレーザ(半導体レーザ関連技術, 及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Quantum dot Laser with high density and high uniformity QD |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 量子ドット / Quantum dot |
| キーワード(2)（和/英） | 半導体レーザ / Laser |
| キーワード(3)（和/英） | 高密度量子ドット / high density QD |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 天野 建 / Takeru AMANO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所光技術研究部門 Photonics Research Institute, AIST |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 菅谷 武芳 / Takeyoshi SUGAYA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所光技術研究部門 Photonics Research Institute, AIST |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小森 和弘 / Kazuhiro KOMORI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所光技術研究部門 Photonics Research Institute, AIST |
| 発表年月日 | 2005-12-09 |
| 資料番号 | LQE2005-123 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 455 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |