| 講演名 | 2005-12-09 GaInAsP/InP極微構造の低損傷形成による低電流歪補償量子細線DFBレーザ(半導体レーザ関連技術, 及び一般) 三浦 幸治, プルームウォンロート タノーム, 西本 頼史, 大平 和哉, 八木 英樹, 丸山 武男, 荒井 滋久, |
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| 抄録(和) | EB露光、CH_4/H_2-RIE、及びOMVPEによる埋め込み再成長法を用いて作製したGaInAsP/InP長波長帯歪補償量子細線レーザについてご報告する。自然放出光強度の偏波異方性から、キャリヤの横方向量子閉じ込め効果が細線幅30-40nmと広い場合でも顕著であることを明らかにした。また、上述の作製法を用いて量子細線DFBレーザ(細線幅: 30nm、周期: 240nm)を作製した結果、室温連続動作条件において、1.55μm波長帯における低次元量子構造を用いた半導体レーザとして最小しきい値電流密度動作(176A/cm^2)を達成する共に、良好な単一モード動作(波長: 1542nm、副モード抑圧比: 50dB)を達成した。 |
| 抄録(英) | A GaInAsP/InP long wavelength strain-compensated quantum-wire laser was fabricated by electron beam lithography, CH_4/H_2-reactive ion etching and organometallic vapor-phase-epitaxial regrowth. The observed polarization anisotropy of spontaneous emission was due to the lateral quantum confinement effect appeared even the wide wire-width (30-40nm). Quantum-wire DFB laser (wire-width of 30 nm, five stacked quantum wires) fabricated by mentioned process has shown the single mode operation (a sub -mode suppression ratio as high as 50 dB) at the lasing wavelength of 1542nm under the room-temperature continuous-wave condition. This Quantum-wire DFB laser has the lowest threshold current density operation (176A/cm^2) comparing with other reported low dimensional quantum-well structure semiconductor lasers in the 1.55μm wavelength region. |
| キーワード(和) | 量子細線レーザ / DFBレーザ / 歪補償量子井戸 / OMVPE再成長 |
| キーワード(英) | Quantum-Wire Laser / DFB Laser / GaInAsP/InP / Strain-Compensated Quantum-Well / CH_4/H_2-RIE / OMVPE Regrowth |
| 資料番号 | LQE2005-122 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2005/12/2(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaInAsP/InP極微構造の低損傷形成による低電流歪補償量子細線DFBレーザ(半導体レーザ関連技術, 及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low-Threshold Strain-Compensated Quantum-Wire DFB Lasers by Low-Damage Fabrication Processes of GaInAsP/InP Ultra-Fine Structures |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 量子細線レーザ / Quantum-Wire Laser |
| キーワード(2)（和/英） | DFBレーザ / DFB Laser |
| キーワード(3)（和/英） | 歪補償量子井戸 / GaInAsP/InP |
| キーワード(4)（和/英） | OMVPE再成長 / Strain-Compensated Quantum-Well |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 三浦 幸治 / Koji MIURA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター Quantum Nanoelectronics Research Center, Tokyo Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | プルームウォンロート タノーム / Dhanorm PLUMWONGROT |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター Quantum Nanoelectronics Research Center, Tokyo Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 西本 頼史 / Yoshifumi NISHIMOTO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター Quantum Nanoelectronics Research Center, Tokyo Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 大平 和哉 / Kazuya OHIRA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター Quantum Nanoelectronics Research Center, Tokyo Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 八木 英樹 / Hideki YAGI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:独立行政法人科学技術振興機構 Quantum Nanoelectronics Research Center, Tokyo Institute of Technology:JST-CREST |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 丸山 武男 / Takeo MARUYAMA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:独立行政法人科学技術振興機構 Quantum Nanoelectronics Research Center, Tokyo Institute of Technology:JST-CREST |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 荒井 滋久 / Shigehisa ARAI |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:独立行政法人科学技術振興機構 Quantum Nanoelectronics Research Center, Tokyo Institute of Technology:JST-CREST |
| 発表年月日 | 2005-12-09 |
| 資料番号 | LQE2005-122 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 455 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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