講演名 2005-12-09
短共振器DBR構造を用いた1.3μm帯InGaAlAs系レーザの低電流・高温10Gbit/s動作(半導体レーザ関連技術, 及び一般)
篠田 和典, 北谷 健, 青木 雅博, 向久保 優, 内田 憲治, 魚見 和久,
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抄録(和) 10Gbit/s伝送用1.3μm帯直接変調レーザの駆動電流低減を目的として、数十μm長の短い活性領域を持つ短共振器型InGaAlAs系レーザを理論的、実験的に検討した。初めに理論検討により、高速性を維持しつつ動作電流を最小にする共振器長が数十μmの領域にあることを示した。次に、この短い共振器長を実現するレーザ構造として、高温高利得特性をもつInGaAlAs量子井戸活性層に集積プロセスが容易なInGaAsP分布帰還反射鏡(DBR)をバットジョイント集積した短共振器DBR構造を提案しプロトタイプを作製した。その結果、活性領域長75μmの短共振器DBRレーザにおいて、100℃における10Gbit/s低電流動作の記録値14mAを得た。また、短共振器DBRレーザでは共振器の縦モード選択性が高いため、通常の干渉露光法で作製した回折格子構造において95%以上の高い単一縦モード歩留まりが得られることが分かった。
抄録(英) InGaAlAs short-cavity DBR lasers are proposed to allow 1.3-μm uncooled high-speed operation at low drive currents suitable for use in smaller-form-factor modules. We theoretically estimated that the optimum cavity length to achieve high-speed operations at low-drive current is in the range of 10μm to 100μm. We achieved 100℃, 10-Gb/s operation at a record low drive current of 14 mA_ with a 75-μm -cavity laser. Furthermore, side-mode suppression ratio of more than 37 dB was achieved at a high yield of 95% in spite of using a conventional grating made by holographic exposure because of naturally high single-mode stability of our short-cavity laser structure.
キーワード(和) レーザ / 直接変調 / 短共振器 / バットジョイント
キーワード(英) Laser / 10 Gbit/s / Direct Modulation / InGaAlAs / Short Cavity / Butt Joint
資料番号 LQE2005-117
発行日

研究会情報
研究会 LQE
開催期間 2005/12/2(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Lasers and Quantum Electronics (LQE)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 短共振器DBR構造を用いた1.3μm帯InGaAlAs系レーザの低電流・高温10Gbit/s動作(半導体レーザ関連技術, 及び一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Short-Cavity InGaAlAs Lasers for High-Temperature 10-Gbit/s Operations with Ultra-Low Drive Current
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) レーザ / Laser
キーワード(2)(和/英) 直接変調 / 10 Gbit/s
キーワード(3)(和/英) 短共振器 / Direct Modulation
キーワード(4)(和/英) バットジョイント / InGaAlAs
第 1 著者 氏名(和/英) 篠田 和典 / Kazunori SHINODA
第 1 著者 所属(和/英) (株)日立製作所中央研究所
Central Research Laboratory, Hitachi Ltd.
第 2 著者 氏名(和/英) 北谷 健 / Takeshi KITATANI
第 2 著者 所属(和/英) (株)日立製作所中央研究所
Central Research Laboratory, Hitachi Ltd.
第 3 著者 氏名(和/英) 青木 雅博 / Masahiro AOKI
第 3 著者 所属(和/英) (株)日立製作所中央研究所
Central Research Laboratory, Hitachi Ltd.
第 4 著者 氏名(和/英) 向久保 優 / Masashi MUKAIKUBO
第 4 著者 所属(和/英) 日本オプネクスト(株)
Opnext Japan
第 5 著者 氏名(和/英) 内田 憲治 / Kenji UCHIDA
第 5 著者 所属(和/英) 日本オプネクスト(株)
Opnext Japan
第 6 著者 氏名(和/英) 魚見 和久 / Kazuhisa UOMI
第 6 著者 所属(和/英) 日本オプネクスト(株)
Opnext Japan
発表年月日 2005-12-09
資料番号 LQE2005-117
巻番号(vol) vol.105
号番号(no) 455
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
発行日