| 講演名 | 2005-12-09 光インターコネクション用1.1μm帯InGaAs VCSEL(半導体レーザ関連技術, 及び一般) 鈴木 尚文, 畠山 大, 阿南 隆由, 深津 公良, 屋敷 健一郎, 辻 正芳, |
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| 抄録(和) | 超高速計算機内のデータ転送速度増大のため、高速化、高密度化可能な光伝送の適用が検討されており、光源として消費電力、高密度集積に優れるVCSELが有望視されている。高速化と高信頼性の両立に適しているInGaAs/GaAs-QWを活性層としたVCSELを作製し、20Gbpsでの動作と初期信頼性を実証した。さらなる高速化には電気抵抗の低減が重要となるが、その手段としてType-II型トンネルジャンクションを用いた構造を提案する。 |
| 抄録(英) | Recently, there has been increasing demand for high-speed interconnections, especially for high-end computing systems. Optical interconnection is an attractive way to meet such a demand. A VCSEL is very suitable as a light source for optical interconnection due to its small size, low cost, and low power consumption. We have developed VCSELs based on InGaAs/GaAs-QWs, which are preferable to achieve high speed and high reliability at the same time. Error-free 20-Gbps operations were achieved and no degradation was observed in 70℃, 1000 hours of preliminary APC tests. We also propose VCSELs with type-II tunnel junctions to reduce electrical resistance for higher speed operation. |
| キーワード(和) | 光インターコネクション / トンネルジャンクション |
| キーワード(英) | VCSEL / optical interconnection / InGaAs / tunnel junction |
| 資料番号 | LQE2005-113 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2005/12/2(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 光インターコネクション用1.1μm帯InGaAs VCSEL(半導体レーザ関連技術, 及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 1.1μm-range InGaAs VCSEL for optical interconnections |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 光インターコネクション / VCSEL |
| キーワード(2)（和/英） | トンネルジャンクション / optical interconnection |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 鈴木 尚文 / Naofumi SUZUKI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NECシステムデバイス研究所 System Device Res. Labs., NEC Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 畠山 大 / Hiroshi HATAKEYAMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NECシステムデバイス研究所 System Device Res. Labs., NEC Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 阿南 隆由 / Takayoshi ANAN |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NECシステムデバイス研究所 System Device Res. Labs., NEC Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 深津 公良 / Kimiyoshi FUKATSU |
| 第 4 著者 所属（和/英） | NECシステムデバイス研究所 System Device Res. Labs., NEC Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 屋敷 健一郎 / Kenichiro YASHIKI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | NECシステムデバイス研究所 System Device Res. Labs., NEC Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 辻 正芳 / Masayoshi TSUJI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | NECシステムデバイス研究所 System Device Res. Labs., NEC Corporation |
| 発表年月日 | 2005-12-09 |
| 資料番号 | LQE2005-113 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 455 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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