| 講演名 | 2005-12-09 1.2μm帯GaInAs/GaAs高密度面発光レーザアレイの波長制御(半導体レーザ関連技術, 及び一般) 内山 泰宏, 武田 一隆, 宮本 智之, 小山 二三夫, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 面発光レーザは, 低コスト, 低しきい値, および, 2次元アレイ化可能などの優れた特性を有している.我々はこれまで, 短距離系波長多重方式(WDM)のための大規模波長集積が可能な1.2μm帯GaInAs/GaAs高密度多波長面発光レーザアレイの研究を進めてきた.今回は, 波長集積面発光レーザアレイのデバイス化へ向けて, 熱のクロストーク抑制の検討, および, 3電極構造による高精度波長制御の検討を行ったので報告する. |
| 抄録(英) | VCSELs may have various unique features such as low cost fabrication, low threshold and two-dimensional array formation. We fabricated a 1.2μm GaInAs/GaAs high-density vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) array for use in short reach WDM systems. In this report, we present the wavelength control of multi-wavelength VCSEL arrays, including the suppression of thermal cross-talk and precise wavelength tuning with a three electrodes structure. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | VCSEL / Wavelength Control / GaInAs / VCSEL array |
| 資料番号 | LQE2005-112 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
|---|---|
| 開催期間 | 2005/12/2(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 1.2μm帯GaInAs/GaAs高密度面発光レーザアレイの波長制御(半導体レーザ関連技術, 及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Wavelength control of 1.2μm GaInAs/GaAs high-density vertical cavity surface emitting laser array |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / VCSEL |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 内山 泰宏 / Yasuhiro Uchiyama |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター Microsystem Research Center, P&I Lab., Tokyo Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 武田 一隆 / Kazutaka Takeda |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター Microsystem Research Center, P&I Lab., Tokyo Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 宮本 智之 / Tomoyuki Miyamoto |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター Microsystem Research Center, P&I Lab., Tokyo Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 小山 二三夫 / Fumio Koyama |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター Microsystem Research Center, P&I Lab., Tokyo Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2005-12-09 |
| 資料番号 | LQE2005-112 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 455 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |