| 講演名 | 2002/7/12 直交して薄膜一体形成したLow-Tc SQUIDグラジオメータ 横澤 宏一, 鈴木 大介, 塚田 啓二, 塚本 晃, |
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| 抄録(和) | 基板上に2つのLow-Tc SQUIDグラジオメータを薄膜一体形成したデバイスを試作した。直交2方向の磁場勾配を同時に計測し、直下の電流源を直接推定できる。検出コイルだけでなく、SQUIDも並列型の空間差分構造を持つ。並列型の空間差分SQUIDは磁場の変動に弱いとされるが、1mT(地磁気の20倍)の磁場を加えても固有雑音の上昇がなく、環境磁場の変動に対して安定であることが確認できた。また、試作したデバイスの基本パラメータ(コイルバランス、相互干渉、固有雑音)を実験評価し、実用上十分な性能を有することを確認した。 |
| 抄録(英) | A gradiometric device where two orthogonal low-Tc SQUID gradiometers are integrated on a substrate has been fabricated. Not only the pickup coils but also the SQUIDs are in a gradiometric configuration. We applied a magnetic field stronger than 1mT (20 times the geomagnetic field) to the gradiometric SQUID after it had been cooled in zero-field. Although the critical current was reduced, the level of intrinsic noise remained the same as just after the cooling, in spite of the parallel-type gradiometric configuration. The basic parameters of the gradiometric device (the gradiometric balance, the cross-talk ratio, and the intrinsic noise) indicate the feasibility of its application in the estimation of current vectors in unshielded and lightly shielded environments. |
| キーワード(和) | SQUID / グラジオメータ / 平面型 / 直交 / 磁場変動 |
| キーワード(英) | SQUID / Planar / Gradiometer / Orthogonal / Changing field |
| 資料番号 | SCE2002-20 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SCE |
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| 開催期間 | 2002/7/12(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Superconductive Electronics (SCE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 直交して薄膜一体形成したLow-Tc SQUIDグラジオメータ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Gradiometric Device with Orthogonal Low-Tc SQUID Gradiometers |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SQUID / SQUID |
| キーワード(2)（和/英） | グラジオメータ / Planar |
| キーワード(3)（和/英） | 平面型 / Gradiometer |
| キーワード(4)（和/英） | 直交 / Orthogonal |
| キーワード(5)（和/英） | 磁場変動 / Changing field |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 横澤 宏一 / Koichi YOKOSAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 鈴木 大介 / Daisuke SUZUKI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 塚田 啓二 / Keiji TSUKADA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 塚本 晃 / Akira TSUKAMOTO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日立製作所基礎研究所 Advanced Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 発表年月日 | 2002/7/12 |
| 資料番号 | SCE2002-20 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 221 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |