| 講演名 | 2002/7/12 ダンピング抵抗付き横型 high-Tc SQUIDの作製 音羽 俊哉, 松浦 努, 松田 瑞史, 高橋 賢一, 川口 洋平, 栗城 眞也, |
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| 抄録(和) | SrTiO_3基板は77Kにおいて高い比誘電率を持つので、その上に作製したSQUIDのインダクタンスストリップラインを伝播するジョセフソン発振電圧波の波長は短くなる。このため、ストリップライン共振が生ずる場合があり、電流一電圧特性にクロスオーバーが生じ、変調電圧が低下する。そこで、この共振現象を抑制するためSQUIDのストリップラインに並列にダンピング抵抗を挿入する事を試みた。集中定数等価回路及び分布定数等価回路を用いたシミュレーション結果と、実際にダンピング抵抗を付加したSQUIDの測定結果から、ダンピング抵抗の共振現象抑制効果を検証した。 |
| 抄録(英) | Large dielectric constant of SrTiO_3 substrate at 77K can induce the current-steps in the I-V characteristics by the microwave resonance at the coplanar lines forming the SQUID inductance. The presence of this cross-over structure degrades the modulation voltage of the SQUID. We attached the damping resistance in parallel with the inductance to suppress the resonance phenomena. Effects of damping resistance were studied by simulation for the SQUID circuit and characterization of the device fabricated. |
| キーワード(和) | 横型SQUID / ダンピング抵抗 / STO基板 / YBCO |
| キーワード(英) | transverse-type SQUID / damping resistance / STO substrate / YBCO |
| 資料番号 | SCE2002-19 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SCE |
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| 開催期間 | 2002/7/12(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Superconductive Electronics (SCE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ダンピング抵抗付き横型 high-Tc SQUIDの作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of transverse-type high-Tc SQUID magnetometer with damping resistance |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 横型SQUID / transverse-type SQUID |
| キーワード(2)（和/英） | ダンピング抵抗 / damping resistance |
| キーワード(3)（和/英） | STO基板 / STO substrate |
| キーワード(4)（和/英） | YBCO / YBCO |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 音羽 俊哉 / Toshiya OTOWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 室蘭工業大学 Muroran Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 松浦 努 / Tsutomu MATSUURA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 室蘭工業大学 Muroran Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 松田 瑞史 / Mizushi MATSUDA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 室蘭工業大学 Muroran Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 高橋 賢一 / Kenichi TAKAHASHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 北海道大学電子科学研究所 Research Institute for Electronic Science, Hokkaido University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 川口 洋平 / Youhei KAWAGUTI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 北海道大学電子科学研究所 Research Institute for Electronic Science, Hokkaido University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 栗城 眞也 / Shinya KURIKI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 北海道大学電子科学研究所 Research Institute for Electronic Science, Hokkaido University |
| 発表年月日 | 2002/7/12 |
| 資料番号 | SCE2002-19 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 221 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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