| 講演名 | 2002/7/12 高Jc YBCO 薄膜の作製と粒界接合特性の検討 高橋 賢一, 川口 洋平, 栗城 眞也, 音羽 俊哉, 松田 瑞史, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 高温超伝導体SQUID磁束計の感度の向上させるため、パルスレーザ堆積法を用いたYBCO薄膜の成膜条件の改善を行なった。チャンバー内壁を十分に脱ガスして真空排気し、基板温度を厳密に制御することで高いT_c(≈ 89～90K)、J_c(≧5×10^6 A/cm^2)を有するYBCO薄膜の作製が可能になった。また、RRR(残留抵抗比)とJ_cの値に相関があることが確認された。膜質改善後に傾角30度のSTOバイクリスタル基板上に粒界接合型のSQUIDを作製したところ、I_cR_n積は液体窒素温度77Kで100～250μVであり、I_cR_n ∝ (J^ |
| 抄録(英) | In order to improve the sensitivity of SQUIDs magnetometers made of high-T_c films, we have studied the conditions of pulsed-laser-deposition of YBCO films. Among different deposition parameters examined, extensive degassing of the vacuum chamber before and precise control of the substrate temperature during the film deposition were found effective to obtain high critical temperature T_c and high critical current density J_c. It was also found that the residual resistance ratio has clear correlation with J_c, indicating that it can be a good, and easy to measure, index of the film quality. Those films having T_c ≈ 89-90 K and J_c≧ 5x10^6 A/cm^2 at 77 K were used to fabricate SQUIDs without pickup loop. Grain boundary junctions formed on bicrystal substrates with 30 -misorientation angle exhibited I_cR_n values of more than 100 μV at 77 K. Well-known scaling behavior of the relation of I_cR_n ∝ (J^ |
| キーワード(和) | パルスレーザ堆積法 / RRR / J_c / 粒界接合 / I_cR_n積 / SQUID / 変調電圧 |
| キーワード(英) | pulsed-laser-deposition / RRR / critical current density / grain boundary junctions / I_cR_n / SQUID / modulation voltages |
| 資料番号 | SCE2002-18 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SCE |
|---|---|
| 開催期間 | 2002/7/12(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Superconductive Electronics (SCE) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高Jc YBCO 薄膜の作製と粒界接合特性の検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of high critical current density YBCO films and investigation of grain boundary junctions |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | パルスレーザ堆積法 / pulsed-laser-deposition |
| キーワード(2)（和/英） | RRR / RRR |
| キーワード(3)（和/英） | J_c / critical current density |
| キーワード(4)（和/英） | 粒界接合 / grain boundary junctions |
| キーワード(5)（和/英） | I_cR_n積 / I_cR_n |
| キーワード(6)（和/英） | SQUID / SQUID |
| キーワード(7)（和/英） | 変調電圧 / modulation voltages |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 高橋 賢一 / Kenichi TAKAHASHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北海道大学電子科学研究所 Research Institute for Electronic Science, Hokkaido University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 川口 洋平 / Yohei KAWAGUCHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北海道大学電子科学研究所 Research Institute for Electronic Science, Hokkaido University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 栗城 眞也 / Shinya KURIKI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北海道大学電子科学研究所 Research Institute for Electronic Science, Hokkaido University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 音羽 俊哉 / Toshiya OTOWA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 室蘭工業大学 Muroran Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 松田 瑞史 / Mizushi MATSUDA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 室蘭工業大学 Muroran Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2002/7/12 |
| 資料番号 | SCE2002-18 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 221 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |