| 講演名 | 2002/8/16 超高速トランジスタ、超高集積SRAM、層間実効誘電率3.0のCu配線を備えた90nmCMOSテクノロジ 中井 聡, CS100開発チーム, |
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| 抄録(和) | high end向け40mmゲート長トランジスタ、genehc65mmゲート長トランジヌタ、実効誘電率3.0を達成するSiCでキャップされたCu/SiLK配線、セル面積0.999μm2の6T-SRAMを備えた90mm CMOSテクノロジを開発した[1][2]。 |
| 抄録(英) | A 90 mn CMOS technology featuring 40 nm gate length transistors for high end applications, 65 nm gate length for generic, SiC capped Cu/VLK (keff=3.0) interconnects, and 0.999 um2 SRAM's has been developed[1][2]. |
| キーワード(和) | 90nm / トランジスタ / サイドウォールノッチ / 配線 / SiLK / SRAM |
| キーワード(英) | 90 nm / transistors / sidewall-notch / interconnects / SiLK / SRAM |
| 資料番号 | SDM2002-167 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2002/8/16(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 超高速トランジスタ、超高集積SRAM、層間実効誘電率3.0のCu配線を備えた90nmCMOSテクノロジ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A 90 nm CMOS Technology with Ultra-High Speed Transistors, Ultra-High Density SRAM's and Cu/VLK (keff= 3.0) Interconnects |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 90nm / 90 nm |
| キーワード(2)（和/英） | トランジスタ / transistors |
| キーワード(3)（和/英） | サイドウォールノッチ / sidewall-notch |
| キーワード(4)（和/英） | 配線 / interconnects |
| キーワード(5)（和/英） | SiLK / SiLK |
| キーワード(6)（和/英） | SRAM / SRAM |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中井 聡 / Satoshi Nakai |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 富士通あきる野テクノロジセンター Fujitsu Akiruno Technology Center |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | CS100開発チーム / Development Team CS100 |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 富士通あきる野テクノロジセンター Fujitsu Akiruno Technology Center |
| 発表年月日 | 2002/8/16 |
| 資料番号 | SDM2002-167 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 272 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |