| 講演名 | 2002/8/16 微細CMOSスケーリングにおけるチャネル高移動度化の重要性 : Si/SiGe系ヘテロ構造による高移動度MOSFET 高木 信一, 水野 智久, 杉山 直治, 手塚 勉, 沼田 敏典, 臼田 宏治, 古賀 淳二, 守山 佳彦, |
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| 抄録(和) | 極薄膜ゲート絶縁膜をもつ微細MOSFETでは、Mos反転層容量と有限の値のSiバンドベンディングの影響の結果、低電圧での動作が極めて難しくなる。この問題を克服するためにはチャネルの高移動度化が有効な手段となる。Siテクノロジーにマッチする高移動度チャネルとして、提案しているひずみSOI(Si-on-Insulator)及びひずみSGOI(SiGe-on-Insulator)MOSFETのデバイス構造・利点・電気特性などを、ひずみSOI素子実現のキーとなる基板作成技術とともに紹介する。 |
| 抄録(英) | Enhancement of inversion-layer mobility becomes more important in scaled CMOS from both viewpoints of higher performance and lower power consumption, because of the severe influence of inversion-layer capacitance and resulting band bending of Si to change the surface potential. Thus, the increase in carrier velocity due to mobility enhancement is effective for realizing high performance/low V_ |
| キーワード(和) | MOSFET / 移動度 / チャネル / ひずみSi / SiGe / SOI / 電源電圧 |
| キーワード(英) | MOSFET / mobility / channel / strained Si / SiGe / SOI / supply voltage |
| 資料番号 | SDM2002-166 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2002/8/16(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | 微細CMOSスケーリングにおけるチャネル高移動度化の重要性 : Si/SiGe系ヘテロ構造による高移動度MOSFET |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Importance of high mobility channels on performance of scaled CMOS : High Mobility MOSFETs with Si/SiGe heterostructures |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | 移動度 / mobility |
| キーワード(3)（和/英） | チャネル / channel |
| キーワード(4)（和/英） | ひずみSi / strained Si |
| キーワード(5)（和/英） | SiGe / SiGe |
| キーワード(6)（和/英） | SOI / SOI |
| キーワード(7)（和/英） | 電源電圧 / supply voltage |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 高木 信一 / Shin-ichi Takagi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 半導体MIRAIプロジェクト、超先端電子技術開発機構(ASET):東芝研究開発センター、LSI基盤技術ラボラトリー MIRAI Project, Association of Super-Advanced Electronics Technology (ASET):Advanced LSI Technology Laboratory, Toshiba Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 水野 智久 / Tomohisa Mizuno |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 半導体MIRAIプロジェクト、超先端電子技術開発機構(ASET):東芝研究開発センター、LSI基盤技術ラボラトリー MIRAI Project, Association of Super-Advanced Electronics Technology (ASET):Advanced LSI Technology Laboratory, Toshiba Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 杉山 直治 / Naoharu Sugiyama |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 半導体MIRAIプロジェクト、超先端電子技術開発機構(ASET):東芝研究開発センター、LSI基盤技術ラボラトリー MIRAI Project, Association of Super-Advanced Electronics Technology (ASET):Advanced LSI Technology Laboratory, Toshiba Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 手塚 勉 / Tsutomu Tezuka |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 半導体MIRAIプロジェクト、超先端電子技術開発機構(ASET):東芝研究開発センター、LSI基盤技術ラボラトリー MIRAI Project, Association of Super-Advanced Electronics Technology (ASET):Advanced LSI Technology Laboratory, Toshiba Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 沼田 敏典 / Toshinori Numata |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 半導体MIRAIプロジェクト、超先端電子技術開発機構(ASET):東芝研究開発センター、LSI基盤技術ラボラトリー MIRAI Project, Association of Super-Advanced Electronics Technology (ASET):Advanced LSI Technology Laboratory, Toshiba Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 臼田 宏治 / Koji Usuda |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 半導体MIRAIプロジェクト、超先端電子技術開発機構(ASET):東芝研究開発センター、LSI基盤技術ラボラトリー MIRAI Project, Association of Super-Advanced Electronics Technology (ASET):Advanced LSI Technology Laboratory, Toshiba Corporation |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 古賀 淳二 / Junji Koga |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 半導体MIRAIプロジェクト、超先端電子技術開発機構(ASET):東芝研究開発センター、LSI基盤技術ラボラトリー MIRAI Project, Association of Super-Advanced Electronics Technology (ASET):Advanced LSI Technology Laboratory, Toshiba Corporation |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 守山 佳彦 / Yoshihiko Moriyama |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 半導体MIRAIプロジェクト、超先端電子技術開発機構(ASET):東芝研究開発センター、LSI基盤技術ラボラトリー MIRAI Project, Association of Super-Advanced Electronics Technology (ASET):Advanced LSI Technology Laboratory, Toshiba Corporation |
| 発表年月日 | 2002/8/16 |
| 資料番号 | SDM2002-166 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 272 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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