講演名 2002/8/15
Al系材料を用いた100V耐圧横形ショットキーバリアダイオードの検討
澄田 仁志, 平林 温夫,
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抄録(和) 電源用ICや各種駆動用ICなどのパワーICでは出力特性の低消費電力化の目的から、高速・低損失ダイオードの搭載が要求されている。今回、これらのパワーICに搭載可能な高速・低損失横形ダイオードの検討として、バリア金属に純AlとAl-Si-Cuを用い、コンタクトホールの形成方法を変化させた数種の100V耐圧横形ショットキーバリアダイオードを実験的に試作・評価した。逆回復特性はダイオードの形成条件に依らずPiNダイオードに比して良好な特性が得られた。しかし、形成条件差は静特性に顕著に現れた。逆方向特性はコンタクトホールの形成条件に強く依存し、またAl-Si-Cuを用いたダイオードは温度特性が不安定になった。
抄録(英) Several 100V-lateral schottky barrier diodes for power ICs have experimentally investigated. We have used Al and Al-Si-Cu for barrier metal of the diode, and have varied the etching process for the contact hole. All fabricated schottky barrier diodes showed excellent reverse recovery characteristics compared with a PiN diode. The Reverse blocking characteristics of the schottky barrier diodes strongly depended on the contact etching process. And the characteristics of schottky barrier diodes formed by Al-Si-Cu became disordered under high temperature.
キーワード(和) ショットキーバリアダイオード / PiNダイオード / パワーIC / 純Al / Al-Si-Cu
キーワード(英) Schottky Barrier Diode / PiN Diode / Power IC / Pure Al / Al-Si-Cu
資料番号 SDM2002-139
発行日

研究会情報
研究会 SDM
開催期間 2002/8/15(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Silicon Device and Materials (SDM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) Al系材料を用いた100V耐圧横形ショットキーバリアダイオードの検討
サブタイトル(和)
タイトル(英) Experimental Investigations of 100V-Lateral Schottky Barrier Diodes using Al and Al-Si-Cu for Barrier Metal
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) ショットキーバリアダイオード / Schottky Barrier Diode
キーワード(2)(和/英) PiNダイオード / PiN Diode
キーワード(3)(和/英) パワーIC / Power IC
キーワード(4)(和/英) 純Al / Pure Al
キーワード(5)(和/英) Al-Si-Cu / Al-Si-Cu
第 1 著者 氏名(和/英) 澄田 仁志 / Hitoshi Sumida
第 1 著者 所属(和/英) 富士電機(株) IC第2開発部
IC Development Dept. 2, Fuji Electric Co., Ltd.
第 2 著者 氏名(和/英) 平林 温夫 / Astuo Hirabayashi
第 2 著者 所属(和/英) 富士電機(株) IC第2開発部
IC Development Dept. 2, Fuji Electric Co., Ltd.
発表年月日 2002/8/15
資料番号 SDM2002-139
巻番号(vol) vol.102
号番号(no) 271
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日