講演名 | 2002/8/15 Al系材料を用いた100V耐圧横形ショットキーバリアダイオードの検討 澄田 仁志, 平林 温夫, |
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抄録(和) | 電源用ICや各種駆動用ICなどのパワーICでは出力特性の低消費電力化の目的から、高速・低損失ダイオードの搭載が要求されている。今回、これらのパワーICに搭載可能な高速・低損失横形ダイオードの検討として、バリア金属に純AlとAl-Si-Cuを用い、コンタクトホールの形成方法を変化させた数種の100V耐圧横形ショットキーバリアダイオードを実験的に試作・評価した。逆回復特性はダイオードの形成条件に依らずPiNダイオードに比して良好な特性が得られた。しかし、形成条件差は静特性に顕著に現れた。逆方向特性はコンタクトホールの形成条件に強く依存し、またAl-Si-Cuを用いたダイオードは温度特性が不安定になった。 |
抄録(英) | Several 100V-lateral schottky barrier diodes for power ICs have experimentally investigated. We have used Al and Al-Si-Cu for barrier metal of the diode, and have varied the etching process for the contact hole. All fabricated schottky barrier diodes showed excellent reverse recovery characteristics compared with a PiN diode. The Reverse blocking characteristics of the schottky barrier diodes strongly depended on the contact etching process. And the characteristics of schottky barrier diodes formed by Al-Si-Cu became disordered under high temperature. |
キーワード(和) | ショットキーバリアダイオード / PiNダイオード / パワーIC / 純Al / Al-Si-Cu |
キーワード(英) | Schottky Barrier Diode / PiN Diode / Power IC / Pure Al / Al-Si-Cu |
資料番号 | SDM2002-139 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | SDM |
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開催期間 | 2002/8/15(から1日開催) |
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幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | Al系材料を用いた100V耐圧横形ショットキーバリアダイオードの検討 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Experimental Investigations of 100V-Lateral Schottky Barrier Diodes using Al and Al-Si-Cu for Barrier Metal |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | ショットキーバリアダイオード / Schottky Barrier Diode |
キーワード(2)(和/英) | PiNダイオード / PiN Diode |
キーワード(3)(和/英) | パワーIC / Power IC |
キーワード(4)(和/英) | 純Al / Pure Al |
キーワード(5)(和/英) | Al-Si-Cu / Al-Si-Cu |
第 1 著者 氏名(和/英) | 澄田 仁志 / Hitoshi Sumida |
第 1 著者 所属(和/英) | 富士電機(株) IC第2開発部 IC Development Dept. 2, Fuji Electric Co., Ltd. |
第 2 著者 氏名(和/英) | 平林 温夫 / Astuo Hirabayashi |
第 2 著者 所属(和/英) | 富士電機(株) IC第2開発部 IC Development Dept. 2, Fuji Electric Co., Ltd. |
発表年月日 | 2002/8/15 |
資料番号 | SDM2002-139 |
巻番号(vol) | vol.102 |
号番号(no) | 271 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |