| 講演名 | 2002/8/15 しきい電圧可変完全空乏型SOI MOSFETのしきい電圧調整範囲 南雲 俊治, 犬飼 貴士, 大澤 淳真, 平本 俊郎, |
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| 抄録(和) | 完全空乏型SOI MOSFETにおいて、基板バイアスによって調整可能なしきい電圧V_ | の範囲は、SOI-埋め込み酸化膜界面の反転・蓄積によって制限される。本研究は、新たなデバイスパラメータγ'を導入することによって、この調整可能範囲の膜厚依存性について解析的に明らかにした。さらに、この解析結果を実証するため、ノンドープの長チャネルデバイスの実測、およびシミュレーションを行った。実験の結果は解析結果とほぼ一致するものの、ややずれが生じる。このずれの原因について、電子分布を考慮した定性的な考察も行った。 | |
| 抄録(英) | The controllable range of the threshold voltage (V_ | ) in fully-depleted SOI MOSFETs is limited by the inversion or accumulation condition of the SOI-buried oxide interface. We studied the film thickness dependence of the control range of V_ | analytically, with introducing a new device parameter γ'. Measured and simulated results of long channel devices were compared, and the origin of discrepancy between analysis and experiment was also discussed qualitatively taking the electron distribution in SOI film into consideration. |
| キーワード(和) | 基板バイアス効果 / しきい電圧可変CMOS(VTCOMS) / 完全空乏型SOI / 反転 / 蓄積 / SOI膜厚 / g_m-V_g特性 / キャリア分布 | ||
| キーワード(英) | body effect / variable threshold voltage CMOS (VTCMOS) / fully-depleted SOI / inversion / accumulation / SOI thickness / g_m-V_g characteristics / carrier distribution | ||
| 資料番号 | SDM2002-138 | ||
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2002/8/15(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | しきい電圧可変完全空乏型SOI MOSFETのしきい電圧調整範囲 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Threshold Voltage Control Range in Variable Threshold Voltage Fully-Depleted SOI MOSFETs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 基板バイアス効果 / body effect |
| キーワード(2)（和/英） | しきい電圧可変CMOS(VTCOMS) / variable threshold voltage CMOS (VTCMOS) |
| キーワード(3)（和/英） | 完全空乏型SOI / fully-depleted SOI |
| キーワード(4)（和/英） | 反転 / inversion |
| キーワード(5)（和/英） | 蓄積 / accumulation |
| キーワード(6)（和/英） | SOI膜厚 / SOI thickness |
| キーワード(7)（和/英） | g_m-V_g特性 / g_m-V_g characteristics |
| キーワード(8)（和/英） | キャリア分布 / carrier distribution |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 南雲 俊治 / Toshiharu NAGUMO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, University of Tokyo |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 犬飼 貴士 / Takashi INUKAI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, University of Tokyo |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大澤 淳真 / Atsumasa OHSAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所:中央大学大学院理工学研究科 Institute of Industrial Science, University of Tokyo:Graduate School of Science and Engineering, Chuo University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 平本 俊郎 / Toshiro HIRAMOTO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, University of Tokyo |
| 発表年月日 | 2002/8/15 |
| 資料番号 | SDM2002-138 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 271 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |