| 講演名 | 2002/8/2 対向ターゲット式スパッタ法によるITO透明導電膜の低温高速成膜 星 陽一, 加藤 博臣, |
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| 抄録(和) | 低温で低抵抗のITO透明導電膜を得るためには、酸素負イオンなどに起因する高エネルギー粒子による膜表面の衝撃を極力減らすことが必要である。100V程度の低電圧でスパッタすることで、マグネトロンスパッタ法を用いても低抵抗のITO薄膜が50℃以下の低温で得られるものの、スパッタ電圧が低いために、高速成膜の観点からは制限があった。一方、対向ターゲット式スパッタ法は高電圧でスパッタしても、良好な低抵抗のITO透明導電膜が得られることに注目して、本研究ではこの対向ターゲット式スパッタ法を用いたITO薄膜の高速成膜法について検討した。その結果、容易に120nm/min程度の堆積速度が得られること、電気的特性や構造も堆積速度にほとんど依存せず、4×10^<-4>Ωcm以下の低抵抗率の膜が得られることが分かった。 |
| 抄録(英) | It is well known that suppression of the bombardment of high energy particles is necessary to obtain ITO thin films with low resistivity at a low substrate temperature. In facing target sputtering(FTS) method, bombardment of film surfaces by high energy oxygen atoms which are produced from negative oxygen ions emitted from the target surface can be completely suppressed. Therefore, sputtering can be performed at a higher sputtering voltages in the FTS than in magnetron sputtering, which is suitable to realize a high deposition rate in the film preparation. In this study, high rate deposition of ITO thin films at a low substrate temperature was attempted by using the FTS technique. As a result, deposition rate as high as 120 nm/min was easily realized by using FTS. Resistivity of the film depended little on the deposition rate and the films with resistivity below 4×10^<-4>Ωcm were obtained, although surface smoothness of the film was degraded by the increase in the deposition rate. |
| キーワード(和) | 対向ターゲット式スパッタ法 / IT0 / 透明導電膜 / 低温成膜 / 高速成膜 |
| キーワード(英) | Facing target sputtering / ITO / transparent conductive thin films / high rate deposition / low temperature deposition |
| 資料番号 | CPM2002-61 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2002/8/2(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 対向ターゲット式スパッタ法によるITO透明導電膜の低温高速成膜 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High Rate Deposition of ITO thin Films by Facing Target Sputtering at Low Substrate Tempreature |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 対向ターゲット式スパッタ法 / Facing target sputtering |
| キーワード(2)（和/英） | IT0 / ITO |
| キーワード(3)（和/英） | 透明導電膜 / transparent conductive thin films |
| キーワード(4)（和/英） | 低温成膜 / high rate deposition |
| キーワード(5)（和/英） | 高速成膜 / low temperature deposition |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 星 陽一 / Yoichi HOSHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工芸大学 工学部 電子情報工学科 Faculty of Engineering, Tokyo Institute of Polytechnics |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 加藤 博臣 / Hiroomi KATO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工芸大学 工学部 電子情報工学科 Faculty of Engineering, Tokyo Institute of Polytechnics |
| 発表年月日 | 2002/8/2 |
| 資料番号 | CPM2002-61 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 261 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |