| 講演名 | 2002/8/2 トライオードプラズマCVD法による3C-SiCエピ成長膜特性の高周波電力依存性 安井 寛治, 橋場 正啓, 赤羽 正志, |
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| 抄録(和) | 原料にジメチルシランを用いトライオードプラズマCVD法によりsi(100)基板上への3c-sicの低温エピタキシャル成長を行った。得られたエピタキシャル膜の結晶性や積層欠陥の生成等の特性がプラズマを励起している高周波電力によってどのような変化を示すか調べたところ、低温成長時には60W前後で最適値が見られる一方、1100℃の高温成長時には高周波電力の印加によって特性が劣化することが分かった。これらの特性について水素ラジカル、荷電粒子の入射等の立場から考察を行った。 |
| 抄録(英) | Epitaxial growth of 3C-SiC on Si(100) was carried out by triode plasma CVD using dimethylsilane as a source gas. The dependence of the film properties such as crystallinity and the generation of stacking faults on the RF power was investigated. Under low substrate temperatures, the crystallinty and the ratio of the domain including stacking faults of SiC were improved at RF power of 60W. On the other hand, those characteristics detenorated by the application of the RF power at 1100℃. |
| キーワード(和) | トライオードプラズマCVD / 3c-SiC / 高周波電力 / エピタキシャル成長 |
| キーワード(英) | Triode plasma CVD / 3C-SiC / RF power / Epitaxial growth |
| 資料番号 | CPM2002-60 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2002/8/2(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | トライオードプラズマCVD法による3C-SiCエピ成長膜特性の高周波電力依存性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Dependence on the RF power of the characteristics of 3C-SiC on Si(001) grown by triode plasma CVD |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | トライオードプラズマCVD / Triode plasma CVD |
| キーワード(2)（和/英） | 3c-SiC / 3C-SiC |
| キーワード(3)（和/英） | 高周波電力 / RF power |
| キーワード(4)（和/英） | エピタキシャル成長 / Epitaxial growth |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 安井 寛治 / Kanji YASUI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学工学部電気系 Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 橋場 正啓 / Masahiro HASHIBA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学工学部電気系 Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 赤羽 正志 / Tadashi AKAHANE |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学工学部電気系 Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology |
| 発表年月日 | 2002/8/2 |
| 資料番号 | CPM2002-60 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 261 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |