講演名 2002/8/2
希土類金属薄膜の水素化・脱水素特性
前田 幹雄, 山口 明, 越後谷 淳一,
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抄録(和) この研究では希土類金属の水素化・脱水素の過程を明らかにした。希土類金属は水素化によって金属相から絶縁体(半導体)相に相変態することが知られており、非常に興味深い物質である。今回の研究では希土類金属を薄膜化した試料を用いることにより水素化・脱水素の過程について調べた。試料には希土類金属としてYおよびLaを使用し、さらにその上にPdの酸化防止層を設けた膜を用いた。試料作製はスパッタリング法を用いて行った。
抄録(英)
キーワード(和) 希土類金属 / スパッタリング / 薄膜
キーワード(英)
資料番号 CPM2002-59
発行日

研究会情報
研究会 CPM
開催期間 2002/8/2(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Component Parts and Materials (CPM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 希土類金属薄膜の水素化・脱水素特性
サブタイトル(和)
タイトル(英) Hydrogenation and De-hydrogenation characteristic of rare-earth metal
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 希土類金属
キーワード(2)(和/英) スパッタリング
キーワード(3)(和/英) 薄膜
第 1 著者 氏名(和/英) 前田 幹雄 / Mikio MAEDA
第 1 著者 所属(和/英) 岩手大学大学院
University Iwate
第 2 著者 氏名(和/英) 山口 明 / Akira YAMAGUCHI
第 2 著者 所属(和/英) 岩手大学工学部
Faculty of Engineering ,Iwate University
第 3 著者 氏名(和/英) 越後谷 淳一 / Junichi ECHIGOYA
第 3 著者 所属(和/英) 岩手大学工学部
Faculty of Engineering ,Iwate University
発表年月日 2002/8/2
資料番号 CPM2002-59
巻番号(vol) vol.102
号番号(no) 261
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
発行日