| 講演名 | 2002/8/1 モノメチルシランを用いた3C-Sic成長初期過程 成田 克, 犬伏 宗和, 安井 寛治, 赤羽 正志, |
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| 抄録(和) | モノメチルシラン(MMSi)を原料にSi(001)の清浄表面である(2×1)上での3C-SiCの成長初期過程を反射高速電子線回折(RHEED)と原子間力顕微鏡(AFM)を用いて調べ、その特性をジメチルシラン(DMSi)を用いた場合と比較した。RHEEDパターンとその回折スポットの発光強度プロファイルから、インキュベーションタイム中にSic(4×4)構造が出現することや.初期成長速度の活性化エネルギーがMMSiとDMSiとではほほ同じであることから、両原料共に同様なメカニズムでSiCが成長していることが窺われた。しかしSiC核発生直後のAFM像から、MMSiとDMSiを用いた場合の核の発生状態は異なることが分かった。 |
| 抄録(英) | We observed the initial stage of 3C-SiC growth on Si(2×1) surface using monomethylsilane (MMSi) by reflection high-energy electron diffraction (RHEED) and atomic force microscopy (AFM). The growth characteristics were compared with those in the case of dimethylsilane (DMSi). From the change in RHEED patterns and the variation in the RHEED intensity with time, Si c(4×4) structure was found to appear during incubation time arid the activation energy of the initial growth rate was calculated as 43[kcal/mol]. From the fact that these characteristics are the same as the case using DMSi, the mechanisin of the SiC initial growth was considered to be the same in both cases. From the AFM images after SiC nucleation, however, the characteristics of the nucleation was different, between the case using MMSi and that using DMSi. |
| キーワード(和) | 炭化ケイ素 / RHEED / AFM / モノメチルシラン / Sic(4×4)構造 / インキュベーションタイム |
| キーワード(英) | silicon carbide / RHEED / AFM / monomethylsilane / Si c(4×4) structure / incubation time |
| 資料番号 | CPM2002-56 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2002/8/1(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | モノメチルシランを用いた3C-Sic成長初期過程 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Initial Stage of 3C-SiC Growth Using Monomethylsilane |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 炭化ケイ素 / silicon carbide |
| キーワード(2)（和/英） | RHEED / RHEED |
| キーワード(3)（和/英） | AFM / AFM |
| キーワード(4)（和/英） | モノメチルシラン / monomethylsilane |
| キーワード(5)（和/英） | Sic(4×4)構造 / Si c(4×4) structure |
| キーワード(6)（和/英） | インキュベーションタイム / incubation time |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 成田 克 / Yuzuru NARITA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学工学部電気系 Depertment of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 犬伏 宗和 / Toshikazu INUBUSHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学工学部電気系 Depertment of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 安井 寛治 / Kanji YASUI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学工学部電気系 Depertment of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 赤羽 正志 / Tadashi AKAHANE |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学工学部電気系 Depertment of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology |
| 発表年月日 | 2002/8/1 |
| 資料番号 | CPM2002-56 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 260 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |