講演名 2002/8/1
R-Al_2O_3\CeO_2\EuBa_2Cu_3O_<7-δ>薄膜におけるCeO_2熱処理効果
上野 善彦, 橋本 健男, 菊地 新可, 道上 修,
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抄録(和) R-Al_2O_3\CeO_2\EuBa_2Cu_3O_<7-δ>薄膜の表面性状、結晶性、電気的特性におけるCeO_2バッファ層への熱処理効果を調べた。R-Al_2O_3基板上にRFマグネトロンスパッタリング法により堆積させたCeO_2バッファ層に熱処理を施し、その後DCマグネトロンスパッタリング法によりEuBa_2Cu_3O_<7_δ>(EBCO)薄膜を堆積させた。700℃以上の熱処理温度(T_a)においてCeO_2バッファ層の表面粗さに一桁程の改善が見られた。それに伴い、CeO_2バッファ層上のEBCO薄膜の表面粗さにも改善が見られた。臨界温度(T_c)は、CeO_2バッファ層への熱処理の有無に関わらず、約90Kだった。臨界電流密度(J_c)は、CeO_2バッファ層へ熱処理を施した結果、約4.5×10^6A/cm^2となり、熱処理無しの試料に比べも大きな値を示した。
抄録(英) We investigated the effects of annealing for a CeO_2 buffer layer on surface morpology, crystallinity and electrical properties of R-Al_2O_3\CeO_2\EuBa_2Cu_3O_<7-δ> thin films. CeO_2 buffer layers 300 Å thick deposited on an R-Al_2O_3 substrate at 650 ℃ by RF magnetron sputtering were annnealed at various temperatures and EuBa_2Cu_3O_<7-δ>(EBCO) thin films were deposited on R-Al_2O_3\CeO_2 at 670 ℃ by DC magnetron sputtering. The surface roughness of CeO_2 buffer layers were improved at annealing temperatures over 700 ℃. Accordingly, the surface roughness of EBCO thin films deposited on the annealed CeO_2 buffer layers were improved. The critical temperature(T_c) was about 90 K regardless of the annealing conditions for the CeO_2 buffer layer. The J_c's of EBCO thin films deposited on the CeO_2 buffer layer annealed at about 800 ℃ were considerably improved compared with that on an as-grown CeO_2 buffer layer and were about 4.5 × 10^6 A/cm^2.
キーワード(和) CeO_2 / 熱処理 / 臨界電流密度
キーワード(英) CeO_2 / annealing / critical current density
資料番号 CPM2002-55
発行日

研究会情報
研究会 CPM
開催期間 2002/8/1(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Component Parts and Materials (CPM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) R-Al_2O_3\CeO_2\EuBa_2Cu_3O_<7-δ>薄膜におけるCeO_2熱処理効果
サブタイトル(和)
タイトル(英) Effect of CeO_2 annealing on the characteristics of R-Al_2O_3\CeO_2\EuBa_2Cu_3O_<7-δ> thin films
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) CeO_2 / CeO_2
キーワード(2)(和/英) 熱処理 / annealing
キーワード(3)(和/英) 臨界電流密度 / critical current density
第 1 著者 氏名(和/英) 上野 善彦 / Yoshihiko UENO
第 1 著者 所属(和/英) 岩手大学工学部
Faculty of Engineering, Iwate University
第 2 著者 氏名(和/英) 橋本 健男 / Takeo HASHIMOTO
第 2 著者 所属(和/英) 岩手大学工学部
Faculty of Engineering, Iwate University
第 3 著者 氏名(和/英) 菊地 新可 / Shinji KIKUCHI
第 3 著者 所属(和/英) 岩手大学工学部
Faculty of Engineering, Iwate University
第 4 著者 氏名(和/英) 道上 修 / Osamu MICHIKAMI
第 4 著者 所属(和/英) 岩手大学工学部
Faculty of Engineering, Iwate University
発表年月日 2002/8/1
資料番号 CPM2002-55
巻番号(vol) vol.102
号番号(no) 260
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日