講演名 | 2002/8/1 R-Al_2O_3\CeO_2\EuBa_2C_3O_7におけるCeO_2成膜速度の効果 橋本 健男, 菊地 新司, 道上 修, |
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抄録(和) | Al_2O_3基板上へRFマグネトロンスパッタ法によりCeO_2をバッファ層として堆積させ、c軸配向EuBa_2Cu_3O_7(EBCO)薄膜を作製した。CeO_2バッファ層の成膜速度(Rd)、膜厚の変化によるEBCO薄膜の表面性状、臨界温度(T_ |
抄録(英) | CeO_2 buffer layers of different thicknesses were prepared on R-plane Al_2O_3 at various deposition rates (Rd) and a growth temperature of 650℃ using RF magnetron sputtering. Epitaxial c-axis EuBa_2Cu_3O_7 (EBCO) thin films 1500 Å thick were deposited on R-Al_2O_3\CeO_2 at about 650℃ using off-axis DC magnetron sputtering. We investigated surface morphiogy, crystallinity, critical temperature (T_ |
キーワード(和) | R-Al_2O_3 / EuBa_2Cu_3O_7 / CeO_2 / J_c |
キーワード(英) | R-Al_2O_3 / EuBa_2Cu_3O_7 / CeO_2 / J_c |
資料番号 | CPM2002-54 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | CPM |
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開催期間 | 2002/8/1(から1日開催) |
開催地(和) | |
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テーマ(和) | |
テーマ(英) | |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | R-Al_2O_3\CeO_2\EuBa_2C_3O_7におけるCeO_2成膜速度の効果 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Effect of deposition rate of CeO_2 buffer layer for R-Al_2O_3\CeO_2\EuBa_2C_3O_7 |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | R-Al_2O_3 / R-Al_2O_3 |
キーワード(2)(和/英) | EuBa_2Cu_3O_7 / EuBa_2Cu_3O_7 |
キーワード(3)(和/英) | CeO_2 / CeO_2 |
キーワード(4)(和/英) | J_c / J_c |
第 1 著者 氏名(和/英) | 橋本 健男 / Takeo HASHIMOTO |
第 1 著者 所属(和/英) | 岩手大学工学部 Faculty of Engineering, Iwate University |
第 2 著者 氏名(和/英) | 菊地 新司 / Shinji KIKUCHI |
第 2 著者 所属(和/英) | 岩手大学工学部 Faculty of Engineering, Iwate University |
第 3 著者 氏名(和/英) | 道上 修 / Osamu MICHIKAMI |
第 3 著者 所属(和/英) | 岩手大学工学部 Faculty of Engineering, Iwate University |
発表年月日 | 2002/8/1 |
資料番号 | CPM2002-54 |
巻番号(vol) | vol.102 |
号番号(no) | 260 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |