講演名 2002/8/1
R-Al_2O_3\CeO_2\EuBa_2C_3O_7におけるCeO_2成膜速度の効果
橋本 健男, 菊地 新司, 道上 修,
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抄録(和) Al_2O_3基板上へRFマグネトロンスパッタ法によりCeO_2をバッファ層として堆積させ、c軸配向EuBa_2Cu_3O_7(EBCO)薄膜を作製した。CeO_2バッファ層の成膜速度(Rd)、膜厚の変化によるEBCO薄膜の表面性状、臨界温度(T_)、77Kにおける臨界電流密度(J_c)について検討した。Rd=7.91Å/minではCeO_2の膜厚が約50~1500Åにおいて、Rd=58.1Å/minでは50~3000ÅにおいてEBCOはT_=88K以上を示した。また、J_cにおいても成膜速度を早くすることにより向上し、Rd=58.1Å/min、CeO_2バッファ層の膜厚が300~20000Åにおいて5×10^6A/cm^2以上を示した。
抄録(英) CeO_2 buffer layers of different thicknesses were prepared on R-plane Al_2O_3 at various deposition rates (Rd) and a growth temperature of 650℃ using RF magnetron sputtering. Epitaxial c-axis EuBa_2Cu_3O_7 (EBCO) thin films 1500 Å thick were deposited on R-Al_2O_3\CeO_2 at about 650℃ using off-axis DC magnetron sputtering. We investigated surface morphiogy, crystallinity, critical temperature (T_) and critical current dencity of EBCO thin films. T_ and J_c values of the EBCO thin films were measured. The EBCO films showed T_'s of about 88 K regardless of CeO_2 buffer layer deposition conditions. The J_c values at 77.3 K of EBCO thin films on the CeO_2 buffer layers deposited at R_d's of 7.9 A/min and 58.1 Å/min were 3×10^6 A/cm^2 and 5×10^6 A/cm^2, respectively.
キーワード(和) R-Al_2O_3 / EuBa_2Cu_3O_7 / CeO_2 / J_c
キーワード(英) R-Al_2O_3 / EuBa_2Cu_3O_7 / CeO_2 / J_c
資料番号 CPM2002-54
発行日

研究会情報
研究会 CPM
開催期間 2002/8/1(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Component Parts and Materials (CPM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) R-Al_2O_3\CeO_2\EuBa_2C_3O_7におけるCeO_2成膜速度の効果
サブタイトル(和)
タイトル(英) Effect of deposition rate of CeO_2 buffer layer for R-Al_2O_3\CeO_2\EuBa_2C_3O_7
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) R-Al_2O_3 / R-Al_2O_3
キーワード(2)(和/英) EuBa_2Cu_3O_7 / EuBa_2Cu_3O_7
キーワード(3)(和/英) CeO_2 / CeO_2
キーワード(4)(和/英) J_c / J_c
第 1 著者 氏名(和/英) 橋本 健男 / Takeo HASHIMOTO
第 1 著者 所属(和/英) 岩手大学工学部
Faculty of Engineering, Iwate University
第 2 著者 氏名(和/英) 菊地 新司 / Shinji KIKUCHI
第 2 著者 所属(和/英) 岩手大学工学部
Faculty of Engineering, Iwate University
第 3 著者 氏名(和/英) 道上 修 / Osamu MICHIKAMI
第 3 著者 所属(和/英) 岩手大学工学部
Faculty of Engineering, Iwate University
発表年月日 2002/8/1
資料番号 CPM2002-54
巻番号(vol) vol.102
号番号(no) 260
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日