講演名 2002/8/1
酸化物超伝導体EuBa_2Cu_3O_<7-δ>用MgO基板に対するCeO_2バファ層の効果
小田嶋 慎平, 太田 靖之, 橋本 健男, 菊地 新司, 道上 修,
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抄録(和) 酸化物超伝導薄膜EBCOを基板に堆積させる際、格子整合性、誘電率などの点からMgO基板が良く用いられる。しかしながら、MgO基板上でさえ面内配向が完全に揃った薄膜は得られない。そこで我々はMgO基板にまずバッファ層としてCeO_2を堆積させることにより面内配向制御の可能性を考えた。本研究はその前段階としてまず、MgO基板へのCeO_2の最適堆積条件を明らかにし、作製したMgO\CeO_2\EBCO薄膜とMgO\EBCO薄膜との超伝導特性の比較を行った。その結果、MgO\EBCO薄膜の超伝導特性には僅かに及ばないもののかなり近い値に到達できた。今後更なる堆積条件の最適化により、更に高品質な薄膜作製が行えると考えられる。
抄録(英) MgO with good lattice matching and a low dielectric constant is well used as a substrate of oxide superconducting thin films. However, it is not easy to obtain the high-quality thin films with proper in-plane orientation grains on MgO substrates. We attempted to control in-plane orientation of EuBa_2Cu_3O_<7-δ>(EBCO) crystal grains by depositing a CeO_2 buffer layer on MgO substrates. The optimal deposition conditions of a CeO_2 buffer layer were clarified. The superconducting properties of EBCO thin films deposited on the CeO_2 buffer layer were compared with those on MgO substrates. The critical temperatures of MgO\CeO_2\EBCO thin films were almost equal to those of MgO\EBGO thin films, and CeO_2 buffer layers enabled EBCO crystal grains to regularly orient in-plane.
キーワード(和) EBCO / CeO_2 / MgO
キーワード(英) EBCO / CeO_2 / MgO
資料番号 CPM2002-52
発行日

研究会情報
研究会 CPM
開催期間 2002/8/1(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Component Parts and Materials (CPM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 酸化物超伝導体EuBa_2Cu_3O_<7-δ>用MgO基板に対するCeO_2バファ層の効果
サブタイトル(和)
タイトル(英) Effect of CeO_2 buffer layer on in-plane orientation for MgO\CeO_2\ EuBa_2Cu_3O_<7-δ>
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) EBCO / EBCO
キーワード(2)(和/英) CeO_2 / CeO_2
キーワード(3)(和/英) MgO / MgO
第 1 著者 氏名(和/英) 小田嶋 慎平 / Shinpei ODASHIMA
第 1 著者 所属(和/英) 岩手大学工学部
Faculty of Engineering, IWATE University
第 2 著者 氏名(和/英) 太田 靖之 / Yasuyuki OTA
第 2 著者 所属(和/英) 岩手大学工学部
Faculty of Engineering, IWATE University
第 3 著者 氏名(和/英) 橋本 健男 / Takeo HASHIMOTO
第 3 著者 所属(和/英) 岩手大学工学部
Faculty of Engineering, IWATE University
第 4 著者 氏名(和/英) 菊地 新司 / Shinji KIKUCHI
第 4 著者 所属(和/英) 岩手大学工学部
Faculty of Engineering, IWATE University
第 5 著者 氏名(和/英) 道上 修 / Osamu MICHIKAMI
第 5 著者 所属(和/英) 岩手大学工学部
Faculty of Engineering, IWATE University
発表年月日 2002/8/1
資料番号 CPM2002-52
巻番号(vol) vol.102
号番号(no) 260
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日