| 講演名 | 2002/8/1 MgO基板上への断続的スパッタによるEuBa_2Cu_3O_<7-δ>薄膜の作製 太田 靖之, 小田嶋 慎平, 橋本 健男, 菊地 新司, 道上 修, |
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| 抄録(和) | 断続的マグネトロンスパッタリングによって、MgO基板上にEuBa_2Cu_3O_<7-δ>薄膜の堆積を行い、seed layerにおけるEuBa_2Cu_3O_<7-δ>の成長や表面状態への影響を調べた。薄膜の堆積温度やseed layerの膜厚が、面内配向性、結晶粒の状態や表面粗さに及ぼす効果について明らかにした。その結果、seed layerを用いない従来の方法で作製した薄膜と比較して、臨界温度は変わらず、面内配向性は改善し、表面は平坦化した。また、これらの効果はseed layerの堆積温度や膜厚に依存した。 |
| 抄録(英) | We deposited EuBa_2Cu_3O_<7-δ>(EBCO) on MgO substrates by intermittent magnetron sputtering, and examined a seed layer effect on growth and surface morphology of EBCO. The imtermittent sputtering was carried out at the fixed high temperature in the sequence of the seed layer growth, in situ annealing, and the main EBCO thin films growth. The influence of deposition temperature of thin films and seed layer thickness on in-plane epitaxy, grain growth and surface roughness was examined. As a results, the intermittent-sputtered EBCO thin films exhibited high T_c, improved in-plane epitaxy and small surface roughness compared with EBCO thin films prepared by the conventional sputtering method. These effects depended on deposition temperature and seed layer thickness. |
| キーワード(和) | EuBa_2Cu_3O_<7-δ> / 断続的スパッタ / MgO基板 / 面内配向性 |
| キーワード(英) | EuBa_2Cu_3O_<7-δ> / intermittent sputter deposition / MgO substrates / in-plane epitaxy |
| 資料番号 | CPM2002-51 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2002/8/1(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MgO基板上への断続的スパッタによるEuBa_2Cu_3O_<7-δ>薄膜の作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | EuBa_2Cu_3O_<7-δ> thin films fabricated on MgO(100) substrates by intermittent sputter deposition |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | EuBa_2Cu_3O_<7-δ> / EuBa_2Cu_3O_<7-δ> |
| キーワード(2)（和/英） | 断続的スパッタ / intermittent sputter deposition |
| キーワード(3)（和/英） | MgO基板 / MgO substrates |
| キーワード(4)（和/英） | 面内配向性 / in-plane epitaxy |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 太田 靖之 / Yasuyuki OTA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 岩手大学工学部 Facuty of Engineering Iwate University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 小田嶋 慎平 / Shinpei ODASHIMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 岩手大学工学部 Facuty of Engineering Iwate University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 橋本 健男 / Takeo HASHIMOTO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 岩手大学工学部 Facuty of Engineering Iwate University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 菊地 新司 / Shinji KIKUCHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 岩手大学工学部 Facuty of Engineering Iwate University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 道上 修 / Osamu MICHIKAMI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 岩手大学工学部 Facuty of Engineering Iwate University |
| 発表年月日 | 2002/8/1 |
| 資料番号 | CPM2002-51 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 260 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |