| 講演名 | 2002/11/8 InP系マッハツェンダ変調器の高速化の検討 秋山 傑, 廣瀬 真一, 渡辺 孝幸, 上田 誠, 関口 茂昭, 山本 剛之, 倉又 朗人, 雙田 晴久, |
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| 抄録(和) | InP系マッハツェンダ変調器はコンパクトかつチャーピング制御可能という利点を有しているため、高速光通信用変調器として有望である。しかしながら、20GHz以上の広帯域化が可能な電極構造が確立していないため、これまでに報告されている動作は10Gb/sまでのものが多い。これに対して我々は、PIN層構造の変調器を光軸に沿って細かく分断し、間に電気容量の小さい領域を挟んで連結する事で50Ωへのインピーダンスマッチングが可能となる進行波電極構造を新たに提案し、InP系マッハツェンダ変調器の高速化を検討している。本報告では、我々が提案する電極構造について説明し、実際にこのような電極構造を有するマッハツェンダ変調器を作製、評価した結果について述べる。電極のS_<11>反射特性の評価から、我々の提案する電極においては50Ωへのインピーダンスマッチングが得られている事を確認し、その結果、光変調の小信号応答特性において変調帯域の増大が得られた。これにより40Gb/sにおいて良好なアイの開口が観察された。 |
| 抄録(英) | InP-based Mach-Zehnder modulators are promising device as a high-speed modulator in optical communication systems because of their compactness and good chirp controllability. However, mostly only up to 10Gb/s operations have been reported on those devices so far, since the electrode structure with bandwidth over 20 GHz has not been established, yet. To realize higher speed operation of such devices, we propose a new traveling wave electrode structure with impedance matching to 50Ω, in which we divided PIN phase modulator into small pieces and connected them inserting small capacitance section between them. In this report, we explain the concept of such a new electrode structure and show the measurement result of the fabricated Mach-Zehnder modulators with it. Measured S11 characteristics showed the impedance matching of the electrode of these devices,enabling them to increase their bandwidth in optical small signal response. Consequently, we obtained a clear eye opening at 40 Gb/s using these devices. |
| キーワード(和) | InP / マッハツェンダ / 変調器 / 高速 / 電極 / 電気容量 / インピーダンス / 帯域 |
| キーワード(英) | InP / Mach-Zehnder / modulator / high speed / electrode / capacitance / impedance / bandwidth |
| 資料番号 | OPE2002-97 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OPE |
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| 開催期間 | 2002/11/8(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Optoelectronics (OPE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | InP系マッハツェンダ変調器の高速化の検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High-speed InP-based Mach-Zehnder Modulator |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InP / InP |
| キーワード(2)（和/英） | マッハツェンダ / Mach-Zehnder |
| キーワード(3)（和/英） | 変調器 / modulator |
| キーワード(4)（和/英） | 高速 / high speed |
| キーワード(5)（和/英） | 電極 / electrode |
| キーワード(6)（和/英） | 電気容量 / capacitance |
| キーワード(7)（和/英） | インピーダンス / impedance |
| キーワード(8)（和/英） | 帯域 / bandwidth |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 秋山 傑 / Suguru AKIYAMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 廣瀬 真一 / Shinichi HIROSE |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 渡辺 孝幸 / Takayuki WATANABE |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 上田 誠 / Makoto UEDA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 関口 茂昭 / Shigeaki SEKIGUCHI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 山本 剛之 / Tsuyoshi YAMAMOTO |
| 第 6 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 倉又 朗人 / Akito KURAMATA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 雙田 晴久 / Haruhisa SODA |
| 第 8 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 発表年月日 | 2002/11/8 |
| 資料番号 | OPE2002-97 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 449 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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