講演名	2005-12-16 PD-SOIの動的ボディ・バイアス制御を利用したブートストラップ型パス・トランジスタ方式(回路技術(一般, 超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ)) 飯島 正章, 北村 雅之, 濱田 健司, 沼 昌宏, 多田 章, 前川 繁登,
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抄録(和)	本稿では, 論理回路の高速化と低消費電力化を両立するため, 低電源電圧動作に適した従来のブートストラップ型パス・トランジスタ方式に対してPD-SOIの動的ボディ・バイアスを適用する, Active Body-biasing Controlled (ABC)-Bootstrap PTL (Pass-Transistor Logic)を提案する.提案手法では, ブートストラップ回路によってトランジスタのボディへV_ 以上のフォワード・バイアスを印加する.さらに, パス・トランジスタのゲート電圧を高めるために, 従来のソース-ゲート間のカップリング容量C_のみならず, ソース-ボディ間のカップリング容量C_も利用する点を特徴とする.提案手法を評価するため, XORゲートおよび4ビット加算器を設計し, 0.18μm PD-SOIプロセスでの実装, 0.5V電源電圧での動作を想定し, HSPICEによる回路シミュレーションを行った.シミュレーション結果より, 速度を一定とした場合でABC-Bootstrap PTLにより40%の電力削減効果が示された.
抄録(英)	We propose an Active Body-biasing Controlled (ABC)-Bootstrap PTL (Pass-Transistor Logic) on PD-SOI at 0.5 V-V_ for ultra low power design. Although conventional PTL-based circuits are with difficulty in operation due to lack of driving power as V_ is scaled down, reduction in junction capacitance with SOI (Silicon On Insulator) contributes to higher operation speed for PTL circuits even at low V_ . In our approach, applying active body-biasing to Bootstrap PTL, where capacitive coupling between source and body (C_) improves boosting effect of gate voltage, is the key for higher performance without output voltage loss. Moreover, lowering V_	by body-biasing also brings high speed operation. Experimental results show that ABC-Bootstrap PTL has saved 40% of power consumption when operating at same operation speed as conventional Bootstrap PTL.
キーワード(和)	ボディ・バイアス / パス・トランジスタ論理
キーワード(英)	PD-SOI / Body bias / Pass-Transistor Logic
資料番号	ICD2005-197
発行日

研究会情報
研究会	ICD
開催期間	2005/12/9(から1日開催)
開催地（和）
開催地（英）
テーマ（和）
テーマ（英）
委員長氏名（和）
委員長氏名（英）
副委員長氏名（和）
副委員長氏名（英）
幹事氏名（和）
幹事氏名（英）
幹事補佐氏名（和）
幹事補佐氏名（英）

講演論文情報詳細
申込み研究会	Integrated Circuits and Devices (ICD)
本文の言語	JPN
タイトル（和）	PD-SOIの動的ボディ・バイアス制御を利用したブートストラップ型パス・トランジスタ方式(回路技術(一般, 超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
サブタイトル（和）
タイトル（英）	Bootstrap Pass-Transistor Logic with Active Body-Biasing Control on PD-SOI
サブタイトル（和）
キーワード(1)（和/英）	ボディ・バイアス / PD-SOI
キーワード(2)（和/英）	パス・トランジスタ論理 / Body bias
第 1 著者 氏名（和/英）	飯島 正章 / Masaaki IIJIMA
第 1 著者 所属（和/英）	神戸大学 Kobe University
第 2 著者 氏名（和/英）	北村 雅之 / Masayuki KITAMURA
第 2 著者 所属（和/英）	神戸大学 Kobe University
第 3 著者 氏名（和/英）	濱田 健司 / Kenji HAMADA
第 3 著者 所属（和/英）	神戸大学 Kobe University
第 4 著者 氏名（和/英）	沼 昌宏 / Masahiro NUMA
第 4 著者 所属（和/英）	神戸大学 Kobe University
第 5 著者 氏名（和/英）	多田 章 / Akira TADA
第 5 著者 所属（和/英）	ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp.
第 6 著者 氏名（和/英）	前川 繁登 / Shigeto MAEGAWA
第 6 著者 所属（和/英）	ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp.
発表年月日	2005-12-16
資料番号	ICD2005-197
巻番号（vol）	vol.105
号番号（no）	476
ページ範囲	pp.-
ページ数	6
発行日