| 講演名 | 2005/12/14 マスクエンハンサーを用いた45nmノードリソグラフィ(半導体Si及び関連材料・評価) 清水 但美, 由比藤 崇, 入江 重夫, 三坂 章夫, 岸村 眞治, 渡辺 尚志, 遠藤 政孝, 笹子 勝, |
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| 抄録(和) | デバイス製造の高集積化を支えるリソグラフィ技術は、現在ArFエキシマレーザーリソグラフィが65nmノードに使用されている。更に微細化した45nmノードには液浸リソグラフィが期待されている。本論文では、焦点深度や解像度などのさらなる向上を目的として、本開発センターで開発したマスクエンハンサーを液浸リソグラフィに適用した結果について報告する。 |
| 抄録(英) | Immersion lithography as next generation lithography becomes one of the most extraordinary candidates for 45nm-node production and below. As RET(Resolution Enhancement Technology), we have proposed the new phase shifting mask, named "Mask Enhancer"(ME). It is demonstrated that immersion lithography with ME is innovative solutions for 45nm-node system LSIs fabrication. |
| キーワード(和) | マスクエンハンサー / 液浸 / リソグラフィ |
| キーワード(英) | Mask Enhancer / 45nm / Immersion / ArF / Lithography |
| 資料番号 | SDM2005-221 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2005/12/14(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | マスクエンハンサーを用いた45nmノードリソグラフィ(半導体Si及び関連材料・評価) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 45nm-node lithography by using Mask Enhancer |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | マスクエンハンサー / Mask Enhancer |
| キーワード(2)（和/英） | 液浸 / 45nm |
| キーワード(3)（和/英） | リソグラフィ / Immersion |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 清水 但美 / Tadami SHIMIZU |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 松下電器産業株式会社半導体社事業本部プロセス開発センター ULSI Process Technology Development Center, Semiconductor Company, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 由比藤 崇 / Takashi YUITO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 松下電器産業株式会社半導体社事業本部プロセス開発センター ULSI Process Technology Development Center, Semiconductor Company, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 入江 重夫 / Shigeo IRIE |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 松下電器産業株式会社半導体社事業本部プロセス開発センター ULSI Process Technology Development Center, Semiconductor Company, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 三坂 章夫 / Akio MISAKA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 松下電器産業株式会社半導体社事業本部プロセス開発センター ULSI Process Technology Development Center, Semiconductor Company, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 岸村 眞治 / Shinji KISHIMURA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 松下電器産業株式会社半導体社事業本部プロセス開発センター ULSI Process Technology Development Center, Semiconductor Company, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 渡辺 尚志 / Hisashi WATANABE |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 松下電器産業株式会社半導体社事業本部プロセス開発センター ULSI Process Technology Development Center, Semiconductor Company, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 遠藤 政孝 / Masayuki ENDO |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 松下電器産業株式会社半導体社事業本部プロセス開発センター ULSI Process Technology Development Center, Semiconductor Company, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 笹子 勝 / Masaru SASAGO |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 松下電器産業株式会社半導体社事業本部プロセス開発センター ULSI Process Technology Development Center, Semiconductor Company, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 発表年月日 | 2005/12/14 |
| 資料番号 | SDM2005-221 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 492 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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