講演名 2005-12-22
触媒金属上に成長したBCNのフィールドエミッション特性(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
木村 千春, 岡田 邦孝, 岡本 幸一, 和田 優, 青木 秀充, 杉野 隆,
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抄録(和) 金属上に様々な温度においてBCN薄膜を作製し、BCN薄膜のフィールドエミッション特性を評価した。シリコン基板上のBCN薄膜の成長に比べ、触媒として鉄(Fe)を用いた場合、成長速度の促進が観測された。BCN薄膜の成長温度を変え、表面形状を観察したところ成長温度の低下とともに薄膜表面の粗さは増大した。温度以外の成長条件を同じにしても、成長温度の低下につれてBCN薄膜への炭素の取り込み量は増加した。Feの触媒効果を利用してBCN薄膜をガラス基板上に200℃で堆積させ、フィールドエミッション特性を評価したところ5.1V/μmという閾値での電子放出を実現した。
抄録(英) Field emission characteristics of the boron carbon nitride (BCN) films deposited on the iron substrate at various temperatures are investigated. The growth rate of BCN films deposited on the iron substrate is higher than that deposited on the Si substrate because iron is a catalyst metal and accelerates the growth of BCN films. The surface roughness and carbon (C) composition ratio are examined by atomic force microscopic (AFM) observation and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) measurement, respectively. The C composition ratio increases with decreasing growth temperature. The surface roughness also increases with decreasing growth temperature. The turn-on electric field as low as 5.1 V/μm is achieved for the BCN film deposited at 200℃ on the glass substrate.
キーワード(和) ホウ素-炭素-窒素 / フィールドエミッション / 触媒金属
キーワード(英) B-C-N / Field emission / Catalytic metal
資料番号 ED2005-182
発行日

研究会情報
研究会 ED
開催期間 2005/12/15(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electron Devices (ED)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 触媒金属上に成長したBCNのフィールドエミッション特性(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Field emission characteristics of BCN deposited on catalytic metal
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) ホウ素-炭素-窒素 / B-C-N
キーワード(2)(和/英) フィールドエミッション / Field emission
キーワード(3)(和/英) 触媒金属 / Catalytic metal
第 1 著者 氏名(和/英) 木村 千春 / Chiharu KIMURA
第 1 著者 所属(和/英) 大阪大学大学院工学研究科
Graduate School of Engineering, Osaka University
第 2 著者 氏名(和/英) 岡田 邦孝 / Kunitaka OKADA
第 2 著者 所属(和/英) 大阪大学大学院工学研究科
Graduate School of Engineering, Osaka University
第 3 著者 氏名(和/英) 岡本 幸一 / Koichi OKAMOTO
第 3 著者 所属(和/英) 舞鶴工業高等専門学校
Maizuru National College of Technology
第 4 著者 氏名(和/英) 和田 優 / Masaru WADA
第 4 著者 所属(和/英) 舞鶴工業高等専門学校
Maizuru National College of Technology
第 5 著者 氏名(和/英) 青木 秀充 / Hidemitsu AOKI
第 5 著者 所属(和/英) 大阪大学大学院工学研究科
Graduate School of Engineering, Osaka University
第 6 著者 氏名(和/英) 杉野 隆 / Takashi SUGINO
第 6 著者 所属(和/英) 大阪大学大学院工学研究科
Graduate School of Engineering, Osaka University
発表年月日 2005-12-22
資料番号 ED2005-182
巻番号(vol) vol.105
号番号(no) 498
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日