| 講演名 | 1999/11/26 高速・広波長帯域化の進むDWDMに対応した異波長一括作製EA変調器集積DFB-LD 古嶋 裕司, 工藤 耕治, 室谷 義治, 阪田 康隆, 井元 康雅, 屋敷 健一郎, 横山 吉隆, 石坂 政茂, 山口 昌幸, 小松 啓郎, |
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| 抄録(和) | DWDMによる光ファイバ通信システムの大容量化が急速に進展する中、高速かつ広い波長範囲に対応した光源が求められている。我々はEB露光を用いた回折格子周期の高精細制御技術と狭幅選択MOVPE成長によるバンドギャップ制御技術を駆使し、所要の波長および波長配分にフレキシブルに対応可能な異波長DFB/MOD一括作製技術を開発した。一括作製した異波長DFB/MODは設計通りの発振波長分布、均一かつ良好なI-L特性を有し、新規伝送波長ウィンドウとして期待されるL帯(1.58μm帯)および10Gb/s/chのDWDMシステムに十分適用可能な伝送特性を実現した。 |
| 抄録(英) | The recent rapid increase in optical fiber communication traffic has created a strong demand for high-speed DFB/MODs covering the expanding wavelength range of the dense wavelength division multiplexing (DWDM) systems. We have developed simultaneous fabrication technique of different-wavelength DFB/MODs on a single wafer using EB-lithography grating and narrow-stripe selective MOVPE technique. Fabricated DFB/MODs showed well-controlled wavelength distribution with uniform L-I characteristics and high-speed operability. L-band transmissions at 2.5 Gb/s over 600-km SMF and 10 Gb/s over 1000-ps/nm dispersion were successfully demonstrated. |
| キーワード(和) | 変調器集積DFB-LD / MOVPE選択成長 / DWDM |
| キーワード(英) | Modulator integrated DFB-LD / Selective MOVPE / DWDM |
| 資料番号 | LQE99-89 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 1999/11/26(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高速・広波長帯域化の進むDWDMに対応した異波長一括作製EA変調器集積DFB-LD |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Different-Wavelength EA-Modulator Integrated DFB-LDs for High-Speed and Extended-Band DWDM Systems |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 変調器集積DFB-LD / Modulator integrated DFB-LD |
| キーワード(2)（和/英） | MOVPE選択成長 / Selective MOVPE |
| キーワード(3)（和/英） | DWDM / DWDM |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 古嶋 裕司 / Y. Furushima |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NEC ULSIデバイス開発研究所 ULSI Device Development Laboratory, NEC Corp. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 工藤 耕治 / K. Kudo |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NEC光・超高周波デバイス研究所 Optoelectronics and High Frequency Device Research Laboratories, NEC Corp. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 室谷 義治 / Y. Muroya |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NEC関西エレクトロニクス研究所 Kansai Electronics Research Laboratory, NEC Corp. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 阪田 康隆 / Y. Sakata |
| 第 4 著者 所属（和/英） | NEC ULSIデバイス開発研究所 ULSI Device Development Laboratory, NEC Corp. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 井元 康雅 / Y. Inomoto |
| 第 5 著者 所属（和/英） | NEC ULSIデバイス開発研究所 ULSI Device Development Laboratory, NEC Corp. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 屋敷 健一郎 / K. Yashiki |
| 第 6 著者 所属（和/英） | NEC光・超高周波デバイス研究所 Optoelectronics and High Frequency Device Research Laboratories, NEC Corp. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 横山 吉隆 / Y. Yokoyama |
| 第 7 著者 所属（和/英） | NEC光・超高周波デバイス研究所 Optoelectronics and High Frequency Device Research Laboratories, NEC Corp. |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 石坂 政茂 / M. Ishizaka |
| 第 8 著者 所属（和/英） | NEC ULSIデバイス開発研究所 ULSI Device Development Laboratory, NEC Corp. |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 山口 昌幸 / M. Yamaguchi |
| 第 9 著者 所属（和/英） | NEC光・超高周波デバイス研究所 Optoelectronics and High Frequency Device Research Laboratories, NEC Corp. |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 小松 啓郎 / K. Komatsu |
| 第 10 著者 所属（和/英） | NEC ULSIデバイス開発研究所 ULSI Device Development Laboratory, NEC Corp. |
| 発表年月日 | 1999/11/26 |
| 資料番号 | LQE99-89 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 467 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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