講演名 | 1999/11/26 高速・広波長帯域化の進むDWDMに対応した異波長一括作製EA変調器集積DFB-LD 古嶋 裕司, 工藤 耕治, 室谷 義治, 阪田 康隆, 井元 康雅, 屋敷 健一郎, 横山 吉隆, 石坂 政茂, 山口 昌幸, 小松 啓郎, |
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抄録(和) | DWDMによる光ファイバ通信システムの大容量化が急速に進展する中、高速かつ広い波長範囲に対応した光源が求められている。我々はEB露光を用いた回折格子周期の高精細制御技術と狭幅選択MOVPE成長によるバンドギャップ制御技術を駆使し、所要の波長および波長配分にフレキシブルに対応可能な異波長DFB/MOD一括作製技術を開発した。一括作製した異波長DFB/MODは設計通りの発振波長分布、均一かつ良好なI-L特性を有し、新規伝送波長ウィンドウとして期待されるL帯(1.58μm帯)および10Gb/s/chのDWDMシステムに十分適用可能な伝送特性を実現した。 |
抄録(英) | The recent rapid increase in optical fiber communication traffic has created a strong demand for high-speed DFB/MODs covering the expanding wavelength range of the dense wavelength division multiplexing (DWDM) systems. We have developed simultaneous fabrication technique of different-wavelength DFB/MODs on a single wafer using EB-lithography grating and narrow-stripe selective MOVPE technique. Fabricated DFB/MODs showed well-controlled wavelength distribution with uniform L-I characteristics and high-speed operability. L-band transmissions at 2.5 Gb/s over 600-km SMF and 10 Gb/s over 1000-ps/nm dispersion were successfully demonstrated. |
キーワード(和) | 変調器集積DFB-LD / MOVPE選択成長 / DWDM |
キーワード(英) | Modulator integrated DFB-LD / Selective MOVPE / DWDM |
資料番号 | OPE99-92 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | OPE |
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開催期間 | 1999/11/26(から1日開催) |
開催地(和) | |
開催地(英) | |
テーマ(和) | |
テーマ(英) | |
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幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Optoelectronics (OPE) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 高速・広波長帯域化の進むDWDMに対応した異波長一括作製EA変調器集積DFB-LD |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Different-Wavelength EA-Modulator Integrated DFB-LDs for High-Speed and Extended-Band DWDM Systems |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 変調器集積DFB-LD / Modulator integrated DFB-LD |
キーワード(2)(和/英) | MOVPE選択成長 / Selective MOVPE |
キーワード(3)(和/英) | DWDM / DWDM |
第 1 著者 氏名(和/英) | 古嶋 裕司 / Y. Furushima |
第 1 著者 所属(和/英) | NEC ULSIデバイス開発研究所 ULSI Device Development Laboratory, NEC Corp. |
第 2 著者 氏名(和/英) | 工藤 耕治 / K. Kudo |
第 2 著者 所属(和/英) | NEC光・超高周波デバイス研究所 Optoelectronics and High Frequency Device Research Laboratories, NEC Corp. |
第 3 著者 氏名(和/英) | 室谷 義治 / Y. Muroya |
第 3 著者 所属(和/英) | NEC関西エレクトロニクス研究所 Kansai Electronics Research Laboratory, NEC Corp. |
第 4 著者 氏名(和/英) | 阪田 康隆 / Y. Sakata |
第 4 著者 所属(和/英) | NEC ULSIデバイス開発研究所 ULSI Device Development Laboratory, NEC Corp. |
第 5 著者 氏名(和/英) | 井元 康雅 / Y. Inomoto |
第 5 著者 所属(和/英) | NEC ULSIデバイス開発研究所 ULSI Device Development Laboratory, NEC Corp. |
第 6 著者 氏名(和/英) | 屋敷 健一郎 / K. Yashiki |
第 6 著者 所属(和/英) | NEC光・超高周波デバイス研究所 Optoelectronics and High Frequency Device Research Laboratories, NEC Corp. |
第 7 著者 氏名(和/英) | 横山 吉隆 / Y. Yokoyama |
第 7 著者 所属(和/英) | NEC光・超高周波デバイス研究所 Optoelectronics and High Frequency Device Research Laboratories, NEC Corp. |
第 8 著者 氏名(和/英) | 石坂 政茂 / M. Ishizaka |
第 8 著者 所属(和/英) | NEC ULSIデバイス開発研究所 ULSI Device Development Laboratory, NEC Corp. |
第 9 著者 氏名(和/英) | 山口 昌幸 / M. Yamaguchi |
第 9 著者 所属(和/英) | NEC光・超高周波デバイス研究所 Optoelectronics and High Frequency Device Research Laboratories, NEC Corp. |
第 10 著者 氏名(和/英) | 小松 啓郎 / K. Komatsu |
第 10 著者 所属(和/英) | NEC ULSIデバイス開発研究所 ULSI Device Development Laboratory, NEC Corp. |
発表年月日 | 1999/11/26 |
資料番号 | OPE99-92 |
巻番号(vol) | vol.99 |
号番号(no) | 465 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |