| 講演名 | 1999/10/21 マイクロアレイ技術によるWDM用波長選択光源 工藤 耕治, 室谷 義治, 浜本 貴一, 畠山 大, 山口 昌幸, |
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| 抄録(和) | 将来のWDM光波ネットワークにおいては、波長可変等の高機能特性を実現できる光集積素子(PIC)の実用化が強く望まれている。しかし、PICには、全体の素子サイズが大きくなるため、ウエハからの収量が減少し、コスト増大を招くという問題があった。我々は、PICの極小化を可能にする新技術として、マイクロアレイ選択成長(Microarray-Selective-Epitaxy, MASE)技術を提案、研究を進めている。MASE技術は、バンドギャップ波長が独立に制御された半導体レーザを、10μm以下の極めて狭い間隔で並べることができる高密度アレイ形成技術である。この技術を用いると、アレイ光源を有する光集積素子を従来の1チップ程度のサイズで実現することが可能となる。実際に、8ch異波長マイクロアレイDFBレーザとMMI光合波器、光増幅器、光変調器が集積された波長選択光源を試作し、良好な特性を得ることができた。 |
| 抄録(英) | This paper describes our application of the MASE technique to the development of a wavelength-selectable eight-channel microarray DEB-LD with a monolithically integrated 8×1 multi-mode-interference (MMI) optical combiner, a semiconductor optical amplifier (SOA), and an electroabsorption modulator (EA-MOD). Using the MASE technique, we were able to reduce the laser section width to as narrow as 80 μm. A selectable wavelength range of ∼16 nm was obtained with uniform device characteristics. |
| キーワード(和) | 波長多重光通信 / マイクロアレイ / 選択成長 / 電子ビーム露光 / 光変調器 / DFBレーザ |
| キーワード(英) | WDM / Microarray / Selective MOVPE / EB lithography / Modulator / DFB lasers |
| 資料番号 | OCS99-69 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OCS |
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| 開催期間 | 1999/10/21(から1日開催) |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Optical Communication Systems (OCS) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | マイクロアレイ技術によるWDM用波長選択光源 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Wavelength Selectable Light Sources Fabricated by Microarray Selective Epitaxy (MASE) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 波長多重光通信 / WDM |
| キーワード(2)（和/英） | マイクロアレイ / Microarray |
| キーワード(3)（和/英） | 選択成長 / Selective MOVPE |
| キーワード(4)（和/英） | 電子ビーム露光 / EB lithography |
| キーワード(5)（和/英） | 光変調器 / Modulator |
| キーワード(6)（和/英） | DFBレーザ / DFB lasers |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 工藤 耕治 / Koji Kudo |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NEC株式会社光・超高周波デバイス研究所 Optoelectronics and High Frequency Device Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 室谷 義治 / Yoshiharu Muroya |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 関西エレクトロニクス研究所 Kansai Electronics Laboratories, NEC Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 浜本 貴一 / Kiichi Hamamoto |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NEC株式会社光・超高周波デバイス研究所 Optoelectronics and High Frequency Device Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 畠山 大 / Hiroshi Hatakeyama |
| 第 4 著者 所属（和/英） | NEC株式会社光・超高周波デバイス研究所 Optoelectronics and High Frequency Device Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 山口 昌幸 / Masayuki Yamaguchi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | NEC株式会社光・超高周波デバイス研究所 Optoelectronics and High Frequency Device Research Laboratories, NEC Corporation |
| 発表年月日 | 1999/10/21 |
| 資料番号 | OCS99-69 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 372 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |