| 講演名 | 1999/10/21 新たな製造方法により得られた高特性低温ポリSi-TFT 西谷 輝, 山本 睦, 坂井 全弘, 後藤 正志, 武富 義尚, 筒 博, 西谷 幹彦, |
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| 抄録(和) | 新規ELAプロセスによる高品質poly-Si膜の形成と、poly-Si膜とゲート絶縁膜の連続形成プロセスの開発により、285cm^2/Vsの高い移動度を有する高性能のTFTを実現することができた。新開発クラスタータイプの装置を用い、ELAプロセス後、界面を大気にさらさず、ゲート絶縁膜を形成し、清浄な界面を実現した。ELAプロセスは、H_2ガス中2μmピッチの走査照射を用い、従来法に比べて高い特性が得られた。また、均一性も従来方法に比べて高く、生産上広いプロセスマージンを実現することができた。 |
| 抄録(英) | We obtained high performance poly-Si TFTs with a new fabrication method based on a new excimer laser annealing (ELA) process followed by a successive deposition process. The interface was free from contamination as the gate insulator was deposited on the poly-Si just after the annealing process with our newly developed cluster type of apparatus. The ELA process was done in H_2 gas atmosphere with the scanning pitch of the laser beam as small as 2 μm. Large silicon grains up to 4 μm were obtained without significant increase of the surface roughness. Average electron mobility of 285 cm^2/Vs was obtained with good uniformity within a substrate and was found to show a moderate dependence on the laser energy density. |
| キーワード(和) | ELA / 低温ポリシリコンTFT / ゲート絶縁膜 |
| キーワード(英) | ELA / Low Temperature Poly-Si TFT / Gate insulator |
| 資料番号 | EID99-54 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID |
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| 開催期間 | 1999/10/21(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electronic Information Displays (EID) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 新たな製造方法により得られた高特性低温ポリSi-TFT |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High Performance Low Temperature Poly-Si TFT Obtained by a New Fabrication Method |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ELA / ELA |
| キーワード(2)（和/英） | 低温ポリシリコンTFT / Low Temperature Poly-Si TFT |
| キーワード(3)（和/英） | ゲート絶縁膜 / Gate insulator |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 西谷 輝 / H. Nishitani |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)ディスプレイデバイス開発センター Display Devices Development Center, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 山本 睦 / M. Yamamoto |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)ディスプレイデバイス開発センター Display Devices Development Center, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 坂井 全弘 / M. Sakai |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)ディスプレイデバイス開発センター Display Devices Development Center, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 後藤 正志 / M. Gotoh |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)ディスプレイデバイス開発センター Display Devices Development Center, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 武富 義尚 / Y. Taketomi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)ディスプレイデバイス開発センター Display Devices Development Center, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 筒 博 / H. Tsutsu |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)ディスプレイデバイス開発センター Display Devices Development Center, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 西谷 幹彦 / M. Nishitani |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)ディスプレイデバイス開発センター Display Devices Development Center, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 発表年月日 | 1999/10/21 |
| 資料番号 | EID99-54 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 374 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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