| 講演名 | 1999/9/28 ゲート酸化膜寿命の電界依存性 井上 真雄, 寺本 章伸, 梅田 浩司, 大野 吉和, 重富 晃, |
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| 抄録(和) | 広い電界範囲(7.0-13.5MV/cm)において酸化膜寿命の測定を行い、その電界依存性を評価した。膜厚7.1nmおよび9.6nmの酸化膜では真性寿命の対数が酸化膜電界の逆数に比例する。これはanode hole injectionモデルから予想される結果と一致しており、酸化膜の絶縁破壊現象がホットエレクトロンによって陽極界面付近で発生する正孔と強く関連していることを示唆している。また、膜厚4.0nmにおいて観測される酸化膜寿命のストレス極性依存性を陽極界面における電子のエネルギーと関連づけて議論する。 |
| 抄録(英) | We have measured oxide life time over a wide range of electric field. The logarithm of intrinsic life time in 7.1nm- and 9.6nm-thick oxides is shown to be proportional to the inverse of electric field in the oxide. This is in agreement with the result deduced from the anode hole injection model and destructive breakdown of oxide is strongly correlated to holed genetated by hot electrons near anode interface. Polarity dependence of oxide life time in 4.0nm-thick oxide is also discussed in terms of electon energy at the anode interface. |
| キーワード(和) | ゲート酸化膜 / 酸化膜寿命 / 電界依存性 / ストレス極性依存性 |
| キーワード(英) | gate oxide / oxide life time / electric-field dependence / stress polarity dependence |
| 資料番号 | SDM99-154 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1999/9/28(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ゲート酸化膜寿命の電界依存性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electric-Field Dependence of Gate Oxide Life Time |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ゲート酸化膜 / gate oxide |
| キーワード(2)（和/英） | 酸化膜寿命 / oxide life time |
| キーワード(3)（和/英） | 電界依存性 / electric-field dependence |
| キーワード(4)（和/英） | ストレス極性依存性 / stress polarity dependence |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 井上 真雄 / M. Inoue |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)ULSI技術開発センター ULSI Development Center, Mitsubishi Electric Co. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 寺本 章伸 / A. Teramoto |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)ULSI技術開発センター ULSI Development Center, Mitsubishi Electric Co. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 梅田 浩司 / H. Umeda |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)ULSI技術開発センター ULSI Development Center, Mitsubishi Electric Co. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 大野 吉和 / Y. Ohno |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)ULSI技術開発センター ULSI Development Center, Mitsubishi Electric Co. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 重富 晃 / A. Shigetomi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)ULSI技術開発センター ULSI Development Center, Mitsubishi Electric Co. |
| 発表年月日 | 1999/9/28 |
| 資料番号 | SDM99-154 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 340 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |