| 講演名 | 1999/9/28 RTA装置で形成したゲート絶縁膜の電気特性 梅田 浩司, 寺本 章伸, 大野 吉和, 重富 晃, |
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| 抄録(和) | RTA装置を用いて種々のガス雰囲気でゲート絶縁膜を形成し、その電気特性を評価した。その結果、H_2/O_2(ウエット)酸化、N_2O酸窒化によりRTA装置で形成したゲート絶縁膜は、従来の拡散炉を用いて形成した場合よりも高い信頼性を有している事を見い出した。また、RTA装置でUV-O_2酸化(ウェハ表面にUV光を照射しながらドライO_2雰囲気中で酸化)する事により、信頼性の向上のみならず、プロセス温度の低温化を図る事が可能である事も見い出した。そして、これらの高信頼ゲート絶縁膜の形成には、活性酸化種がそのライフタイムの時間内に基板表面に到達できる事が重要であると考えられる。 |
| 抄録(英) | We have developed and evaluated gate dielectric films formed in some kinds of gas ambient by using an RTA (Rapid Thermal Annealer). It has been found that dielectric films formed in a hydrogen/oxygen (wet) and an nitrous oxide by using an RTA show higher reliability than those formed by using a conventional furnace. And, it has been found that an oxidation in a dry oxygen ambient under ultraviolet irradiation (UV-O_2 oxidation) by using an RTA, not only show high reliability, but also provide low-temperature processing. It is thought to be important that activated oxidants can reach to Si substrates within there life-time for forming those highly reliable gate dielectric films. |
| キーワード(和) | RTA / ウェット酸化膜 / N_2O酸窒化膜 / 紫外線 / 経時絶縁破壊 / 活性酸化種 |
| キーワード(英) | RTA / wet oxide / N_2O oxynitride / ultraviolet rays / TDDB / activated oxidant |
| 資料番号 | SDM99-153 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1999/9/28(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | RTA装置で形成したゲート絶縁膜の電気特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electric Characteristics of Gate Dielectrics formed by using an RTA |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | RTA / RTA |
| キーワード(2)（和/英） | ウェット酸化膜 / wet oxide |
| キーワード(3)（和/英） | N_2O酸窒化膜 / N_2O oxynitride |
| キーワード(4)（和/英） | 紫外線 / ultraviolet rays |
| キーワード(5)（和/英） | 経時絶縁破壊 / TDDB |
| キーワード(6)（和/英） | 活性酸化種 / activated oxidant |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 梅田 浩司 / H. Umeda |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)ULSI技術開発センター Mitsubishi Electric Corporation, ULSI Development Center |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 寺本 章伸 / A. Teramoto |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)ULSI技術開発センター Mitsubishi Electric Corporation, ULSI Development Center |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大野 吉和 / Y. Ohno |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)ULSI技術開発センター Mitsubishi Electric Corporation, ULSI Development Center |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 重富 晃 / A. Shigetomi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)ULSI技術開発センター Mitsubishi Electric Corporation, ULSI Development Center |
| 発表年月日 | 1999/9/28 |
| 資料番号 | SDM99-153 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 340 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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