| 講演名 | 1999/9/28 ウェーハ密閉搬送による自然酸化膜成長防止とその成膜プロセスへの適用 嵯峨 幸一郎, 国安 仁, 服部 毅, |
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| 抄録(和) | 完全密閉ポッドによりウェーハ保管雰囲気を制御できるウェーハ搬送システムを開発し、AsやPをドープしたシリコン表面の自然酸化膜の成長を抑制できることを確認した。これをCoシリサイド形成プロセスのCo成膜前のウェーハ搬送に適用した結果、接合リーク電流を増加させることなく、シート抵抗の上昇を防止できた。また、半球面(HSG)Si形成プロセスに適用した結果、良好なHSGの形成ができ、表面酸化による容量低下を防止できた。 |
| 抄録(英) | We have developed a mini-environment consisting of a nitrogen-purged wafer-transfer unit and a hermetically sealed aluminum pod which was used for the wafer transport from the wafer-cleaning equipment to film deposition equipments prior to film deposition steps in the process of the cobalt-silicide formation and the hemispherical-grain (HSG) poly-crystalline-silicon formation. As a result, the increase in sheet resistance of cobalt silicide and the decrease in the storage capacitance of electrode using HSG has been successfully prevented by inhibiting the growth of the native oxide on arsenic- or phosphorus-doped silicon surfaces. |
| キーワード(和) | ミニエンバイロンメント / 密閉ポッド / 窒素 / 自然酸化膜 / CoSi_2 / HSG |
| キーワード(英) | Mini-Environment / Closed Pod / Nitrogen / Native Oxide / CoSi_2 / HSG |
| 資料番号 | SDM99-152 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1999/9/28(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ウェーハ密閉搬送による自然酸化膜成長防止とその成膜プロセスへの適用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Prevention of native oxide growth by storage of silicon wafers in a closed pod and its application to the wafer transport before film depositon |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ミニエンバイロンメント / Mini-Environment |
| キーワード(2)（和/英） | 密閉ポッド / Closed Pod |
| キーワード(3)（和/英） | 窒素 / Nitrogen |
| キーワード(4)（和/英） | 自然酸化膜 / Native Oxide |
| キーワード(5)（和/英） | CoSi_2 / CoSi_2 |
| キーワード(6)（和/英） | HSG / HSG |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 嵯峨 幸一郎 / Koichiro Saga |
| 第 1 著者 所属（和/英） | ソニー株式会社超LSI研究所 ULSI R&D Laboratories, Sony Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 国安 仁 / Hitoshi Kuniyasu |
| 第 2 著者 所属（和/英） | ソニー株式会社超LSI研究所 ULSI R&D Laboratories, Sony Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 服部 毅 / Takeshi Hattori |
| 第 3 著者 所属（和/英） | ソニー株式会社超LSI研究所 ULSI R&D Laboratories, Sony Corporation |
| 発表年月日 | 1999/9/28 |
| 資料番号 | SDM99-152 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 340 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |