| 講演名 | 1999/9/28 シリコン酸化膜における応力特性の計算化学的検討 山田 有場, 黒川 仁, 遠藤 明, 高見 誠一, 久保 百司, 寺石 和夫, 宮本 明, |
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| 抄録(和) | シリコンデバイスの微細化、高集積化に伴い、ゲート絶縁膜の薄膜化が進行し高品質な極薄絶縁膜の必要性が課せられている。従来の高温熱酸化では、ウエハーの歪み、熱応力の生成、不純物の再拡散などが問題になってきている。そこで活性な酸化種を用いた低温プラズマ酸化が注目されている。一般的にシリコン表面の酸化による真性応力は、Si-Si格子間に酸素が入り込む事による圧縮応力が考えられる。近年、酸化層薄膜の微小表面応力の測定により、プラスバイアスの条件下で酸化の極初期には引っ張り応力と圧縮応力が繰り返し観測された。本研究では、酸化膜成長過程の応力変化を解明するために、分子力学(MM)計算を行なった。 |
| 抄録(英) | According to the recently fabricated silicon device technology, the thickness of gate oxide has become ultra-thin and a high quality gate dielectric is required. Recently thermal oxidization at high temperature cause several problems, distortion of wafer, occurrence of thermal stress and redistribution of impurities. So it is paid more attention to the low temperature plasma oxidation using active species. Generally intrinsic stress due to oxidation of silicon surface is compressive stress caused by insertion of oxygen into Si-Si bonds. It is observed that compressive stress and tensile stress occurred several times at the initial stage of plasma oxidation with applying positive bias. In this study we calculated molecular mechanics to search the stress change at oxidation process. |
| キーワード(和) | 分子力学法 / 応力 / シリコン / 酸化 |
| キーワード(英) | Molecular mechanics / stress / silicon / oxidation |
| 資料番号 | SDM99-151 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1999/9/28(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | シリコン酸化膜における応力特性の計算化学的検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Theoretical Studies of Stress Properties of Silocon Oxide Layer |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 分子力学法 / Molecular mechanics |
| キーワード(2)（和/英） | 応力 / stress |
| キーワード(3)（和/英） | シリコン / silicon |
| キーワード(4)（和/英） | 酸化 / oxidation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山田 有場 / Aruba Yamada |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科材料化学専攻宮本研究室 Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 黒川 仁 / Hitoshi Kurokawa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科材料化学専攻宮本研究室 Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 遠藤 明 / Akira Endou |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科材料化学専攻宮本研究室 Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 高見 誠一 / Seiichi Takami |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科材料化学専攻宮本研究室 Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 久保 百司 / Momoji Kubo |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科材料化学専攻宮本研究室 Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 寺石 和夫 / Kazuo Teraishi |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科材料化学専攻宮本研究室 Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 宮本 明 / Akira Miyamoto |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科材料化学専攻宮本研究室 Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 発表年月日 | 1999/9/28 |
| 資料番号 | SDM99-151 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 340 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |