| 講演名 | 1999/9/28 Tight-binding分子動力学法を用いたシリコンプラズマ酸化過程の検討 黒川 仁, 山田 有場, 遠藤 明, 高見 誠一, 久保 百司, 宮本 明, |
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| 抄録(和) | 近年、シリコンデバイスの微細化に伴い、ゲート酸化膜の膜厚は数ナノメータになっている。そこでSiO_2/Si界面の平坦性や遷移領域での結合状態がデバイス特性に与える影響が無視できない。近年、Si、SiO_2と金属の熱拡散係数の相違に起因する応力を少なくするためにプロセス全体の低温化が考慮されつつある。プラズマ酸化を用いると従来の熱酸化に比べて低温で、半導体表面に絶縁膜を形成する事ができる。一方、計算化学を用いると、実験では得られない有用な情報を得る事が可能である。本研究では、Tight-binding分子動力学法を用いてプラズマ酸化過程のシミュレーションを行なった。基板に酸素種を照射し形成されたSiO_2の構造を検討した。 |
| 抄録(英) | According to the recently fabricated silicon device technology, the thickness of gate oxide has become only a few nanometers, So the effect of device characteristics resulted from the flatness of SiO_2/Si interface and the bonding state of the transition region can not be neglected. Recently total low-temperature process is taken into account in order to avoid mechanical stress caused by thermal-expansion-coefficient difference of Si, SiO_2 and interconnected metals. Plasma oxidation is a technique being used for growth insulator films on semiconductor surfaces at lower temperature than that used for thermal oxidation. In this study, we performed plasma oxidation simulation using tight-binding molecular dynamics, the oxygen species are emitted over the substrate and the structure of constructed SiO_2 film was discussed. |
| キーワード(和) | Tight-binding分子動力学法 / シリコン / プラズマ酸化 |
| キーワード(英) | Tight-binding molecular dynamics / silicon / plasma oxidation |
| 資料番号 | SDM99-150 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1999/9/28(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Tight-binding分子動力学法を用いたシリコンプラズマ酸化過程の検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Tight-binding Molecular Dynamics Simulation on Silicon Plasma Oxidation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Tight-binding分子動力学法 / Tight-binding molecular dynamics |
| キーワード(2)（和/英） | シリコン / silicon |
| キーワード(3)（和/英） | プラズマ酸化 / plasma oxidation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 黒川 仁 / Hitoshi Kurokawa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科材料化学専攻宮本研究室 Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 山田 有場 / Aruba Yamada |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科材料化学専攻宮本研究室 Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 遠藤 明 / Akira Endou |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科材料化学専攻宮本研究室 Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 高見 誠一 / Seiichi Takami |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科材料化学専攻宮本研究室 Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 久保 百司 / Momoji Kubo |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科材料化学専攻宮本研究室 Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 宮本 明 / Akira Miyamoto |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科材料化学専攻宮本研究室 Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 発表年月日 | 1999/9/28 |
| 資料番号 | SDM99-150 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 340 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |