| 講演名 | 1999/9/28 Siの原子層プラズマ窒化におけるラジカルとイオンの寄与 清野 拓哉, 松浦 孝, 室田 淳一, |
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| 抄録(和) | 高清浄ECR窒素プラズマによるSi(100)表面の原子層窒化におけるラジカルとイオンの寄与について研究を行った。窒化した表面上のN原子面密度は、窒素プラズマ照射時間の増加と共に増加し、数原子層(2∼6×10^<15>cm^<-2>)に飽和する傾向がある。窒化初期では、N原子面密度は、発光強度比と窒素プラズマ照射時間の積により規格化される。入射イオン量が窒化量より少ないことから、ラジカル反応が支配的であると考えられる。また、脱離を無視したラングミュア型の反応式で記述できることを明らかにした。飽和領域では、N原子面密度は、入射イオン量により規格化され、2原子層(1.4×10cm^<15>cm^<-2>)よりも高くなった。したがって、窒素イオンが窒化に寄与し、より深い原子と反応すると考えられる。 |
| 抄録(英) | Contribution of radicals and ions to atomic-order nitridation of Si(100) have been investigated using an ultraclean ECR plasma apparatus. The N atom concentration on Si(100) increases with the plasma exposure time and tends to saturate to a value corresponding to a few atomic-layers. In the initial stage, the N atom concentration is normalized by the product of the relative radical density with the nitrogen plasma exposure time and the number of the incident ions is much smaller than the nitridation amount, which means the radical reaction is dominant. Assuming Langmuir-type kinetics neglecting desorption, an excellent agreement is observed by fitting the experimental data. In the saturation region, the N atom concentration is normalized by the number of incident ions and becomes higher than that corresponding to the double atomic-layers. Therefore, it is suggested that nitridation of the deeper atoms below the surface is induced by the ion incidence. |
| キーワード(和) | 原子層窒化 / Si(100) / 窒素プラズマ / ラジカルとイオン / ラングミュア型 |
| キーワード(英) | atomic-order nitridation / Si(100) / nitrogen plasma / radical and ion / Langmuir-type |
| 資料番号 | SDM99-149 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1999/9/28(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Siの原子層プラズマ窒化におけるラジカルとイオンの寄与 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Contribution of radicals and ions in atomic-order plasma nitridation of Si |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 原子層窒化 / atomic-order nitridation |
| キーワード(2)（和/英） | Si(100) / Si(100) |
| キーワード(3)（和/英） | 窒素プラズマ / nitrogen plasma |
| キーワード(4)（和/英） | ラジカルとイオン / radical and ion |
| キーワード(5)（和/英） | ラングミュア型 / Langmuir-type |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 清野 拓哉 / Takuya SEINO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設 Laboratory for Electronic Intelligent Systems, Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 松浦 孝 / Takashi MATSUURA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設 Laboratory for Electronic Intelligent Systems, Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 室田 淳一 / Junichi MUROTA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設 Laboratory for Electronic Intelligent Systems, Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University |
| 発表年月日 | 1999/9/28 |
| 資料番号 | SDM99-149 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 340 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |