| 講演名 | 1999/9/28 低エネルギイオン照射を用いたボロンドープシリコン単結晶薄膜の形成 本藤 哲史, 熊巳 創, 進藤 亘, 大見 忠弘, |
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| 抄録(和) | ボロン(B)ドープシリコンに対し低エネルギイオン照射(<3OeV)を行い、シリコンエピタキシャル薄膜の形成に関する研究を行った。イオン照射エネルギが5eVより大きくなると、単結晶にもかかわらずキャリア濃度が減少することを明らかにした。リンのl3eVと比較すると、非常に小さいイオン照射エネルギで不活性化してしまう。したがって、ボロンのキャリア濃度が完全に活性化した薄膜を形成するためには、イオン照射エネルギを5eVより小さくする必要がある。これはイオン照射を利用した半導体プロセスにとって大変重要である。 |
| 抄録(英) | Boron-doped silicon epitaxy using a low-energy ion bombardment process(<30eV) has been investigated. When an ion bombardment energy become greater than 5eV, carrier concentration decreased drastically. Compared with 13eV ion energy of phosphorus-doped Silicon film, this is extremely small energy. Therefore, an ion bombardment energy should be lower than 5eV in order to make carrier concentration in a boron-doped silicon film 100%. This result will give us a right direction for a semiconductor manufacturing employing a ion bombardment process. |
| キーワード(和) | シリコン / ボロン / イオンエネルギ / エピタキシャル成長 / 不活性化 |
| キーワード(英) | silicon / boron / ion energy / epitaxial growth / deactivation |
| 資料番号 | SDM99-148 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1999/9/28(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 低エネルギイオン照射を用いたボロンドープシリコン単結晶薄膜の形成 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Boron Doped Silicon Epitaxial Growth Using a Low-Energy Ion Bombardment Process |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコン / silicon |
| キーワード(2)（和/英） | ボロン / boron |
| キーワード(3)（和/英） | イオンエネルギ / ion energy |
| キーワード(4)（和/英） | エピタキシャル成長 / epitaxial growth |
| キーワード(5)（和/英） | 不活性化 / deactivation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 本藤 哲史 / Satoshi Hondo |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 熊巳 創 / Hajime Kumami |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 進藤 亘 / Wataru Shindo |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 大見 忠弘 / Tadahiro Ohmi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東北大学未来科学技術共同研究センター New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University |
| 発表年月日 | 1999/9/28 |
| 資料番号 | SDM99-148 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 340 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |